Détails sur le produit:
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Numéro de pièce: | BAS86 | VR: | 50V |
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Paquet: | SOD-80C | Courant en avant maximal répétitif: | 500mA |
Courant en avant: | 200mA | Type: | Barrière de Schottky Diode |
Surligner: | 1n914 switching diode,1n914 blocking diode |
Composants électroniques des diodes de barrière Schottky de montage en surface BAS86 50V
traits
1. Anneau de protection intégré contre les décharges électrostatiques
2. Tension directe très basse
Applications:
Évaluations maximales absolues
Tj = 25 ℃
Paramètre | Conditions de test | symbole | Valeur | Unité |
Tension inverse | VR | 50 | V | |
Courant de pointe de pointe | tp = 10 ms | IFSM | 5 | UNE |
Courant direct de pointe répétitif | tp≤1s | IFRM | 500 | mA |
Courant direct | SI | 200 | mA | |
Courant direct moyen | IFAV | 200 | mA | |
Température de jonction | Tj | 125 | ℃ | |
Plage de température de stockage | Tstg | -65 ~ + 150 | ℃ | |
Ambiance de jonction | sur carte PC 50 mm x 50 mm x 1,6 mm | RthJA | 320 | K / W |
Caractéristiques électriques
Tj = 25 C
Paramètre | symbole | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité |
Tension de claquage inversée | V (BR) R | IR = 10ìA (pulsé) | 30 | V | ||
Courant de fuite | IR | VR = 25V | 0,2 | 2 | μA | |
Tension directe | VF | Test d'impulsion tp <300μs IF = 0,1mA IF = 1mA IF = 10mA IF = 30mA IF = 100mA | 0,5 | 0,24 0,32 0,4 0,8 | V | |
Capacitance | Ctot | VR = 1 V, f = 1 MHz | dix | pF | ||
Temps de récupération inverse | trr | IF = 10mA, IR = 10mA IR = 1mA | 5 | ns |
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Personne à contacter: Bixia Wu