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50-1000V choisissent le pont redresseur passivé par verre échelonné de silicium DB201-DB207

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50-1000V choisissent le pont redresseur passivé par verre échelonné de silicium DB201-DB207

Image Grand : 50-1000V choisissent le pont redresseur passivé par verre échelonné de silicium DB201-DB207

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	DB201-DB207

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la bobine, 1000pcs/reel
Délai de livraison:	7 - 10 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	10000pcs par semaine

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de la pièce:	DB201-DB207	actuel:	2A
Tension:	50-1000V	SPQ:	1000pcs
Température de fonctionnement:	-55°C à +150°C	Température de stockage:	-55°C à +150°C
Surligner:	bridge type rectifier , single phase bridge rectifier

2A 50-1000V choisissent le pont redresseur passivé par verre échelonné de silicium DB201-DB207

CARACTÉRISTIQUES

* jonction de puce passivée par verre
* température de surcharge élevée de montée subite de 50 ampères de crête
* idéal pour la carte électronique
* basse chute de tension en avant

* soudure de haute température garantie : 260°C pendant 10 secondes

DONNÉES MÉCANIQUES

* cas : Plastique moulé, DB

* époxyde : Taux de l'UL 94V-O ignifuge

* terminaux : Mène solderable par MIL-STD-202, la méthode 208 garantie

* position de montage : Quels

Estimations maximum et caractéristiques thermiques

Otherwies d'uniess de température ambiante de l'estimation 25℃ spécifiques.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez le courant de 20%

Paramètre	Symbole	DB201	DB202	DB203	DB204	DB205	DB206	DB207	UNITÉS
Tension inverse maximale répétitive maximum	VRRM	50	100	200	400	600	800	1000	V
Tension d'entrée maximum de pont de RMS	VRMS	35	70	140	280	420	560	700	V
Tension de blocage de C.C de maximum	Volts continu	50	100	200	400	600	800	1000	V
Tension en avant maximum à C.C 2.0A et à 25℃	VF	1,1							V
Courant inverse de C.C de maximum aux VENTRES évalués =25 C Tension de blocage de C.C par élément MERCI =125 C	IR	5,0 500							μA
Moyen maximum en avant rectifié courant de sortie à TA=40 C	SI (POIDS DU COMMERCE)	2,0							A
Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)	IFSM	60							A
Résistance thermique typique (note 2)	RθJA	40							℃/W
Résistance thermique typique (note 2)	RθJL	15							℃/W
Capacité de jonction typique (note 1)	Cj	25							PF
Jonction et température de stockage fonctionnantes gamme	TJ, TSTG	-55--150							℃

NOTES :
1 - mesuré à 1 mégahertz et à tension inverse appliquée de 4,0 volts continu.
2 - unités montées sur la carte PCB avec 0,5 x 0,5" (13 x 13mm) protections d'en cuivre

Taille :

50-1000V choisissent le pont redresseur passivé par verre échelonné de silicium DB201-DB207 0