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le petit espace extérieur BZM55C2V0 - BZM55C75 d'économie de diode Zener du bâti 0.5W

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le petit espace extérieur BZM55C2V0 - BZM55C75 d'économie de diode Zener du bâti 0.5W

Image Grand : le petit espace extérieur BZM55C2V0 - BZM55C75 d'économie de diode Zener du bâti 0.5W

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	BZM55C2V0 - BZM55C75

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	2500pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la bobine, 2500pcs/reel
Délai de livraison:	5-7 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	500000pcs par momth

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de pièce:	BZM55C2V0 - BZM55C75	tension:	2.0-75V
Puissance:	0.5W	Tolérance:	±5%
Paquet:	Melf micro	Expédition par:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer
Surligner:	silicon rectifier diode , silicon zener diode

petite diode Zener BZM55C2V0 de 0.5W 2.0V-75V par BZM55C75 avec le paquet micro de Melf

Caractéristiques

1. L'espace d'économie
2. ajustements sur des empreintes de pas du GAZON 323/SOT 23
3. paquet de Melf de micro

Applications

Stabilisation de tension

Capacités absolues

Tj=25℃

Paramètre	Conditions d'essai	Symbole	Valeur	Unité
Dissipation de puissance	RthJA≦300K/W	Picovolte	500	mW
Z-actuel		Iz	Pv/Vz	mA
La température de jonction		Tj	175	℃
Température ambiante de température de stockage		Tstg	-65~+175	℃

Résistance thermique maximum

Paramètre	Conditions d'essai	Symbole	Valeur	Unité
Jonction ambiante	sur la carte de circuit imprimé 50mm×50mm×1.6mm	R_dethJA	500	K/W

Caractéristiques électriques

Tj=25℃

Paramètre	Conditions d'essai	Type	Symbole	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension en avant	I_F=200mA		V_F			1,5	V

Type	Vznom	I_ZT pour V_ZT et r_dezjT			r_dezjT à I_ZK		I_R et I_R à V_R			TK_VZ
BZM55C	V	mA	V¹⁾	Ω	Ω	mA	μA	μA²⁾	V	%/K
2V4	2,4	5	2.28~2.56	<85	<600	1	<50	<100	1	-0.09~-0.06
2V7	2,7	5	2.5~2.9	<85	<600	1	<10	<50	1	-0.09~-0.06
3V0	3,0	5	2.8~3.2	<85	<600	1	<4	<40	1	-0.08~-0.05
3V3	3,3	5	3.1~3.5	<85	<600	1	<2	<40	1	-0.08~-0.05
3V6	3,6	5	3.4~3.8	<85	<600	1	<2	<40	1	-0.08~-0.05
3V9	3,9	5	3.7~4.1	<85	<600	1	<2	<40	1	-0.08~-0.05
4V3	4,3	5	4.0~3.6	<75	<600	1	<1	<20	1	-0.06~-0.03
4V7	4,7	5	4.4~5.0	<60	<600	1	<0.5	<10	1	-0.05~+0.02
5V1	5,1	5	4.8~5.4	<35	<550	1	<0.1	<2	1	-0.02~+0.02
5V6	5,6	5	5.2~6.0	<25	<450	1	<0.1	<2	1	-0.05~+0.05
6V2	6,2	5	5.8~6.6	<10	<200	1	<0.1	<2	2	0.03~0.06
6V8	6,8	5	6.4~7.2	<8	<150	1	<0.1	<2	3	0.03~0.07
7V5	7,5	5	7.0~7.9	<7	<50	1	<0.1	<2	5	0.03~0.07
8V2	8,2	5	7.7~8.7	<7	<50	1	<0.1	<2	6,2	0.03~0.08
9V1	9,1	5	8.5~9.6	<10	<50	1	<0.1	<2	6,8	0.03~0.09
10	10	5	7.7~8.7	<15	<70	1	<0.1	<2	6,2	0.03~0.1
11	11	5	10.4~11.6	<20	<70	1	<0.1	<2	8,2	0.03~0.11
12	12	5	11.4~12.7	<20	<90	1	<0.1	<2	9,1	0.03~0.011
13	13	5	12.4~14.1	<26	<110	1	<0.1	<2	10	0.03~0.011
15	15	5	13.8~15.6	<30	<110	1	<0.1	<2	11	0.03~0.011
16	16	5	15.3~17.1	<40	<170	1	<0.1	<2	12	0.03~0.011
18	18	5	16.8~19.1	<50	<170	1	<0.1	<2	13	0.03~0.011
20	20	5	18.8~21.2	<55	<220	1	<0.1	<2	15	0.03~0.011
22	22	5	20.8~23.3	<55	<220	1	<0.1	<2	16	0.04~0.012
24	24	5	22.8~25.6	<80	<220	1	<0.1	<2	18	0.04~0.012
27	27	5	25.1~28.9	<80	<220	1	<0.1	<2	20	0.04~0.012
30	30	5	28~32	<80	<220	1	<0.1	<2	22	0.04~0.012
33	33	5	31~35	<80	<220	1	<0.1	<2	24	0.04~0.012
36	36	5	34~38	<80	<220	1	<0.1	<2	27	0.04~0.012
39	39	2,5	37~41	<90	<500	0,5	<0.1	<5	30	0.04~0.012
43	43	2,5	40~46	<90	<600	0,5	<0.1	<5	33	0.04~0.012
47	47	2,5	44~50	<110	<700	0,5	<0.1	<5	36	0.04~0.012
51	51	2,5	48~54	<125	<700	0,5	<0.1	<10	36	0.04~0.012
56	56	2,5	52~60	<135	<1000	0,5	<0.1	<10	39	0.04~0.012
62	62	2,5	58~66	<150	<1000	0,5	<0.1	<10	43	0.04~0.012
68	68	2,5	64~72	<200	<1000	0,5	<0.1	<10	51	0.04~0.012
75	75	2,5	70~79	<250	<1500	0,5	<0.1	<10	56	0.04~0.012

1) Demande disponible de tolérances plus serrées :

±2% de BZM55B de V_Znom

2) à T_j=150℃

Taille

le petit espace extérieur BZM55C2V0 - BZM55C75 d'économie de diode Zener du bâti 0.5W 0

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Personne à contacter: Bixia Wu

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