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Aperçu ProduitsBarrière de Schottky Diode

diode de barrière de Schottky de bâti de la surface 3.0A SS32-SS36 avec le paquet de profil bas

Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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diode de barrière de Schottky de bâti de la surface 3.0A SS32-SS36 avec le paquet de profil bas

3.0A Surface Mount Schottky Barrier Diode SS32-SS36 With Low Profile Package
3.0A Surface Mount Schottky Barrier Diode SS32-SS36 With Low Profile Package 3.0A Surface Mount Schottky Barrier Diode SS32-SS36 With Low Profile Package 3.0A Surface Mount Schottky Barrier Diode SS32-SS36 With Low Profile Package

Image Grand :  diode de barrière de Schottky de bâti de la surface 3.0A SS32-SS36 avec le paquet de profil bas

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: SS32-SS36

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 3000pcs
Prix: negotiation
Détails d'emballage: 3000pcs/box
Conditions de paiement: T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 500000pcs/mois
Description de produit détaillée
Nom du produit: SS32-SS36 Actuel: 3.0A
tension: 20-60V SPQ: 30000pcs/box
Paquet: SMB
Surligner:

low leakage schottky diode

,

1n5820 schottky diode

diode du paquet SMD du redresseur SS32-SS36 SMC de barrière de Schottky de bâti de la surface 3.0A

 

 

CARACTÉRISTIQUES :

 

* idéal pour l'application de transfert de bâti extérieur
* paquet de profil bas
* perte de puissance faible, rendement élevé
* capacité à forte intensité, bas Vf

* capacité de crête élevée

* soudure de haute température garantie : 260 secondes C/10 sur des terminaux

 

DONNÉES MÉCANIQUES

 

• Terminal : Avances plaquées solderable par
MIL-STD 202E, méthode 208C
• Cas : Moulé avec la Vo de la classe UL-94
époxyde ignifuge identifié
• Polarité : La bande de couleur dénote la cathode

 

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%

 

DACTYLOGRAPHIEZ LE NOMBRE SS22 SS23 SS24 SS25 SS26 UNITÉS
Tension inverse maximale récurrente maximum 20 30 40 50 60 V
Tension maximum de RMS 14 21 28 35 42 V
Tension de blocage de C.C de maximum 20 30 40 50 60 V
Courant en avant rectifié moyen maximum à T L 300 2,0 A

Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi

superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)

50 A
Tension en avant instantanée maximum à 2.0A

0,50

 

0,70 V
Courant inverse Ta=25 C de C.C de maximum 0,5 mA
à la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100 C 20,0 mA
Capacité de jonction typique (Note1) 200 PF
Résistance thermique typique Rq JA (note 2) 25 o C/W
La température de jonction de stockage et d'opération -65 à +150 o C


Dessin :

 

diode de barrière de Schottky de bâti de la surface 3.0A SS32-SS36 avec le paquet de profil bas 0

 

 

 

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