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Diode de thermistance du redresseur 1N4001G-1N4007G avec la capacité à forte intensité

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Diode de thermistance du redresseur 1N4001G-1N4007G avec la capacité à forte intensité

Image Grand : Diode de thermistance du redresseur 1N4001G-1N4007G avec la capacité à forte intensité

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001
Numéro de modèle:	1N4001G-1N4007G

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	5000pcs/box
Délai de livraison:	Stock
Conditions de paiement:	Union occidentale, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	1000000pcs par mois

Contact

Description de produit détaillée

Nom du produit:	1N4001G-1N4007G	Actuel:	1A
tension:	50-1000V	Paquet:	DO-41
d'emballage:	bande dans la boîte	SPQ:	5000pcs/box
Surligner:	silicon rectifier diode , silicon zener diode

diode de redresseur d'usage universel passivée par verre de 1A DO-41 1N4001G-1N4007G

Caractéristique

* basse chute de tension en avant
* capacité à forte intensité
* fiabilité élevée
* capacité élevée de courant de montée subite

Données mécaniques

* cas : Plastique moulé
* époxyde : Taux de l'UL 94V-0 ignifuge
* avance : Terminaux axiaux, solderable par MIL-STD-202,
méthode 208 garantie
* polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
* position de montage : Quels
* poids : 0,34 grammes

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Évaluant 25 otherwies d'uniess de température ambiante de C spécifiques.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez le courant de 20%.

DACTYLOGRAPHIEZ LE NOMBRE	1N4001G	1N4002G	1N4003G	1N4004G	1N4005G	1N4006G	1N4007G	Unité
Tension inverse maximale récurrente maximum	50	100	200	400	600	800	1000	V
Tension maximum de RMS	35	70	140	280	420	560	700	V
Tension de blocage de C.C de maximum	50	100	200	400	600	800	1000	V
Courant en avant rectifié moyen maximum .375" longueur d'avance (de 9.5mm) à Ta=75 C	1,0							A
Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC) Tension en avant instantanée maximum à 1.0A	30 1,0							V
Courant inverse Ta=25 C de C.C de maximum à la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100 C	5,0 50							uA uA
Temps de rétablissement inverse maximum (note 1)	15							NS
Capacité de jonction typique (note 2)	50							PF
Opération et température ambiante de température de stockage TJ, TSTG	-65 +150							°C