Le silicium véritable a commandé la diode de redresseur de rendement élevé HER158 en paquet DO-15 avec le courant 1.5A
CARACTÉRISTIQUES
· Le paquet en plastique a la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
· Basse chute de tension en avant
· Capacité à forte intensité, fiabilité élevée
· Perte de puissance faible, rendement élevé
· Capacité élevée de courant de montée subite
· Commutation à grande vitesse, basse fuite
· Soudure à hautes températures garantie : 260 secondes ℃/10 sur des terminaux
· Composant dans l'accord à RoHS 2015/863/EU
DONNÉES MÉCANIQUES
. Cas : JEDEC DO-15. plastique moulé
. Terminaux : Terminaux axiaux. Solderable par MIL-STD-750. Méthode 2026
. Polarité : La bande de couleur dénote la cathode
. Poids : 0,014 onces. 0,39 grammes
. Position de montage : Quels
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Évaluant 25 otherwies d'uniess de température ambiante de C spécifiques.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez le courant de 20%.
| DACTYLOGRAPHIEZ LE NOMBRE |
ELLE
151
|
ELLE
152
|
ELLE
153
|
ELLE
154
|
ELLE
155
|
ELLE
156
|
ELLE
157
|
ELLE
158
|
Unité |
| Tension inverse maximale récurrente maximum |
50 |
100 |
200 |
300 |
400 |
600 |
800 |
1000 |
V |
| Tension maximum de RMS |
35 |
70 |
140 |
210 |
280 |
420 |
580 |
700 |
V |
| Tension de blocage de C.C de maximum |
50 |
100 |
200 |
300 |
400 |
600 |
800 |
1000 |
V |
|
Courant en avant rectifié moyen maximum
.375" longueur d'avance (de 9.5mm) à Ta=55℃
|
1,5 |
A |
| Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) |
50 |
A |
| Tension en avant instantanée maximum à 5.0A |
1,0 |
1,3 |
1,7 |
V |
|
Courant inverse Ta=25℃ de C.C de maximum
à la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100℃
|
5,0
100
|
μA
μA
|
| Temps de rétablissement inverse maximum (note 1) |
50 |
75 |
NS |
| Capacité de jonction typique (note 2) |
50 |
30 |
PF |
| Chaîne TJ de température de fonctionnement |
-65 +125 |
℃ |
| Température ambiante de température de stockage TSTG |
-65 +150 |
℃ |
NOTES :
1. condition d'essai inverse de temps de rétablissement : IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
Dessin :
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