Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Nom du produit: | 10BQ100 | Actuel: | 1.0A |
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tension: | 100V | SPQ: | 30000pcs/box |
Paquet: | SMB | ||
Surligner: | schottky barrier rectifier,1n5820 schottky diode |
paquet de la diode de redresseur de barrière de Schottky de bâti de la surface 1.0Ampere 10BQ100 SMB
CARACTÉRISTIQUES :
Le redresseur de Schottky du surface-bâti 10BQ100 a été
conçu pour des applications exigeant la basse baisse en avant et très
petites copies de pied sur des panneaux de PC. Les applications typiques sont dans le disque
commandes, alimentations d'énergie de changement, convertisseurs, faisant roue libre
diodes, chargement de batterie, et protection inverse de batterie.
Petite copie de pied, surface montable
Basse chute de tension en avant
Opération à haute fréquence
Anneau de garde pour la rugosité et le long terme augmentés
fiabilité
Estimations de tension
Numéro de la pièce | 10BQ100 |
V R de la tension Inverse de Max. DC (v) | 100 |
V tension inverse de RWM Max. Working Peak (v) |
Capacités absolues
Paramètres | 10BQ | Unités | Conditions | |
I courant de F (poids du commerce) Max. Average Forward | 1,0 | A | coefficient d'utilisation de 50% @ T L = 152 °C, forme de vague rectangulaire | |
I cycle de FSM Max. Peak une non répétitif Courant de montée subite |
780 | A | sinus 5µs ou 3µs Rect. impulsion |
Après évalué condition de charge et le V évalué RRM étant appliqué |
38 | sinus 10ms ou 6ms Rect. impulsion | |||
E EN TANT QU'énergie non répétitive d'avalanche | 1,0 | MJ | T J = 25 °C, I COMME = 0.5A, L = 8mH | |
I courant répétitif d'avalanche de l'AR | 0,5 | A |
Courant se délabrant linéairement pour mettre dedans 1 µsec à zéro Fréquence limitée par maximum de T J Va = 1,5 x Vr typique
|
Caractéristiques électriques
Paramètres | 10BQ | Unités | Conditions | |
V chute de tension en avant maximale de FM (1) | 0,78 | V | @ 1A | T J = °C 25 |
0,89 | V | @ 2A | ||
0,62 | V | @ 1A | T J = °C 125 | |
0,72 | V | @ 2A | ||
I courant de Max. Reverse Leakage de RM (1) | 0,5 | mA | T J = °C 25 | V R = a évalué V R |
1 | mA | T J = °C 125 | ||
Capacité de jonction typique de C T | 42 | PF | V C.C R = 5V, (gamme 100kHz de signal d'essai à 1MHz) 25°C | |
L inductance typique de série de S | 2,0 | NH | Mesuré menez pour mener 5mm à partir du corps de paquet | |
taux de dv/dt Max. Volatge de la taxe (V évalué R) | 10000 | V/ µs |
(1) durée d'impulsion < 300="">
Caractéristiques Thermique-mécaniques
Paramètres | 10BQ | Unités | Conditions |
Température ambiante maximale de jonction de T J (*) | - 55 à 175 | °C | |
Température ambiante de température de stockage maximale de stg de T | - 55 à 175 | °C | |
Jonction maximale de résistance thermique de thJL de R à l'avance | 36 | °C/W | Opération de C.C |
Jonction maximale de résistance thermique de thJA de R à ambiant | 80 | °C/W | |
poids approximatif de poids | 0,10 (0,003) | g (once.) | |
Style de cas | SMB | DO-214AA semblable | |
Repérage de dispositif | IR1J |
Dessin :
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Personne à contacter: Bixia Wu