Paquet de la diode de barrière de SMD Schottky B5817W B5818W B5819W SOD-123
Avec les capacités fortes de R&D, l'équipement de production avancé et les dispositifs parfaits de mesure.
Nous fournissons les produits et services qualifiés selon le système de la gestion de la qualité ISO9001.
Tous les produits ont passé l'essai dangereux de substance, les normes répondues de l'UE et les Etats-Unis.
Caractéristiques
Pour l'usage dans la basse tension, inverseurs à haute fréquence
Roulement libre, et applications polanty de protection
Données mécaniques
Cas : Corps de Moldedplastic
Terminaux : Solde plaqué d'avances capable par MIL-STD-750, méthode 2026
Polarité : Symboles de polarité marqués sur le cas
Repérage : B5817W : SJ, B5818W : SK, B5819W : SL
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Évaluant 25 otherwies d'uniess de température ambiante de C spécifiques.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez le courant de 20%.
| Paramètre |
Symbole
|
B5817S |
B5818W |
B5819W |
UNITÉS |
| Tension inverse maximale récurrente non répétitive |
VRM
|
20 |
30 |
40 |
V |
| Tension inverse de RMS |
VRRM
VRWM
VR
|
14 |
21 |
28 |
V |
|
Tension inverse maximale répétitive maximale
Tension inverse maximale fonctionnante
Tension de blocage de C.C
|
VRM (RMS) |
20 |
30 |
40 |
V |
| La moyenne a rectifié le courant de sortie |
E/S
|
1,0 |
A |
| Mme 8,3 maximale de courant de montée subite en avant @ |
IFSM
|
9 |
A |
| Courant en avant maximal répétitif |
IFRM
|
1,5 |
A |
| Dissipation de puissance |
Palladium
|
250 |
mW |
|
Jonction de résistance thermique à
Ambiant
|
RθJA
|
500 |
K/W |
| Température ambiante de température de stockage T STG |
TSTG
|
-65 +150 |
℃ |
Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre |
Symbole |
Condition d'essai |
Minute |
Maximum |
Unité |
| Tension claque inverse |
VBR |
IR = 100mA B5817W
B5818W
B5819W
|
20
30
40
|
|
V |
| Courant de fuite de tension inverse |
IR |
VR = 20V B5817W
VR = 30V B5818W
VR = 40V B5819W
|
|
1 |
mA |
| Tension en avant |
VF |
B5817W SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,45
0,75
|
V |
| |
|
B5818W SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,55
0,875
|
V |
| |
|
B5819W SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,6
0,9
|
V |
| Capacité de diodes |
CD |
VR = 4V, f =1.0 mégahertz |
|
120 |
PF |
Taille :
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