Diodes de redresseur de barrière de B5819WS SMD Schottky 1A 40V SOD-323
Avec les capacités fortes de R&D, l'équipement de production avancé et les dispositifs parfaits de mesure.
Nous fournissons les produits et services qualifiés selon le système de la gestion de la qualité ISO9001.
Tous les produits ont passé l'essai dangereux de substance, les normes répondues de l'UE et les Etats-Unis.
Application :
Des diodes de Schottky sont largement appliquées dans des circuits électroniques comme des commutateurs, inverseurs,
régulateurs et conducteurs.
Données mécaniques
Cas : Corps de Moldedplastic
Terminaux : Solde plaqué d'avances capable par MIL-STD-750, méthode 2026
Polarité : Symboles de polarité marqués sur le cas
Repérage : B5817WS : SJ, B5818WS : SK, B5819WS : SL
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Évaluant 25 otherwies d'uniess de température ambiante de C spécifiques.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez le courant de 20%.
| Paramètre |
Symbole
|
B5817WS |
B5818WS |
B5819WS |
UNITÉS |
| Tension inverse maximale récurrente non répétitive |
VRM
|
20 |
30 |
40 |
V |
| Tension inverse de RMS |
VRRM
VRWM
VR
|
14 |
21 |
28 |
V |
|
Tension inverse maximale répétitive maximale
Tension inverse maximale fonctionnante
Tension de blocage de C.C
|
VRM (RMS) |
20 |
30 |
40 |
V |
| La moyenne a rectifié le courant de sortie |
E/S
|
1,0 |
A |
| Mme 8,3 maximale de courant de montée subite en avant @ |
IFSM
|
25 |
A |
| Courant en avant maximal répétitif |
IFRM
|
625 |
mA |
| Dissipation de puissance |
Palladium
|
250 |
mW |
|
Jonction de résistance thermique à
Ambiant
|
RθJA
|
500 |
℃/W |
| Température ambiante de température de stockage T STG |
TSTG
|
-65 +150 |
℃ |
Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre |
Symbole |
Condition d'essai |
Minute |
Maximum |
Unité |
| Tension claque inverse |
VBR |
IR = 100mA B5817WS
B5818WS
B5819WS
|
20
30
40
|
|
V |
| Courant de fuite de tension inverse |
IR |
VR = 20V B5817WS
VR = 30V B5818WS
VR = 40V B5819WS
|
|
1 |
mA |
| Tension en avant |
VF |
B5817WS SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,45
0,75
|
V |
| |
|
B5818WS SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,55
0,875
|
V |
| |
|
B5819WS SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,6
0,9
|
V |
| Capacité de diodes |
CD |
VR = 4V, f =1.0 mégahertz |
|
120 |
PF |
Taille :
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