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Aperçu Produitspetite diode de Schottky de signal

La diode Smd 350mA de Schottky d'économie de l'espace expédient le courant avec le paquet micro de Melf

Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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La diode Smd 350mA de Schottky d'économie de l'espace expédient le courant avec le paquet micro de Melf

Space Saving Schottky Diode Smd 350mA Forward Current With Micro Melf Package
Space Saving Schottky Diode Smd 350mA Forward Current With Micro Melf Package Space Saving Schottky Diode Smd 350mA Forward Current With Micro Melf Package Space Saving Schottky Diode Smd 350mA Forward Current With Micro Melf Package

Image Grand :  La diode Smd 350mA de Schottky d'économie de l'espace expédient le courant avec le paquet micro de Melf

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001/RoHS
Numéro de modèle: MCL103A

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 2500pcs
Prix: negotiation
Détails d'emballage: bande dans la bobine, 2500pcs/reel
Délai de livraison: 7 - 10 jours de travail
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 100000pcs par 1 semaine
Description de produit détaillée
Numéro de pièce: MCL103A VR: 40V
Paquet: Melf micro SPQ: 2500pcs
Courant en avant: 1000mA Couleur de bande de cathode: Black
Surligner:

1n914 switching diode

,

1n914 blocking diode

Petite diode de Schottky de signal de SMD avec le paquet micro MCL103A MCL103B MCL103C de Melf

 

Caractéristiques

 

1. L'espace d'économie

2. fiabilité élevée

3. Basse tension en avant actuelle et basse inverse

4. Paquet micro de Melf, ajustement sur des footpoints de SOD-323/SOT-23

 

 

Applications

 

Commutation à faible intensité de rectification et de grande vitesse

 

 

Construction

 

Planaire épitaxial de silicium

 

 

Capacités absolues

Tj=25℃

Paramètre Conditions d'essai Type Symbole Valeur Unité
Tension inverse maximale répétitive   MCL103A VRRM 40 V
MCL103B VRRM 30 V
MCL103C VRRM 20 V
Courant en avant maximal répétitif Tp≤1 s   IFPM 1 A
Courant en avant     IFM 350 mA
Dissipation de puissance Tamb=25℃   PV 400 mW
Température ambiante de température de stockage     Stgde T -65~+175

 

Caractéristiques électriques

Tj=25℃

Paramètre Conditions d'essai Type Symbole Minute Type Maximum Unité
Tension en avant IF=20mA   VF     0,37 V
IF=200mA   VF     0,6 V
Courant inverse VR=30V MCL103A IR     5 μA
VR=20V MCL103B IR     5 μA
VR=10V MCL103C IR     5 μA
Capacité de diode VR=VF =0, f=1MHz   CD   50   PF
Temps de rétablissement inverse IF=IR=200mA à 0.1mA   trr   10   NS

 

La diode Smd 350mA de Schottky d'économie de l'espace expédient le courant avec le paquet micro de Melf 0

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