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2 diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF de thermistance de redresseur de X 5A Schottky

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2 diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF de thermistance de redresseur de X 5A Schottky

Image Grand : 2 diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF de thermistance de redresseur de X 5A Schottky

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	le volume dans la barre
Délai de livraison:	15 - 20 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Nom:	diode Schottky	Numéro de pièce:	10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF
Si:	2 x 5A	tension:	150V
Paquet:	D2PAK/TO-262	La température de jonction:	-55-175°C
Surligner:	silicon rectifier diode , silicon zener diode

transistor à effet de champ de transistor MOSFET de la diode de redresseur de 10A Schottky 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF

CARACTÉRISTIQUES

• 175 opération du °C TJ
• Configuration centrale de robinet
• Basse chute de tension en avant
• Opération à haute fréquence
• Grande pureté, encapsulation époxyde à hautes températures pour la force mécanique augmentée et

résistance d'humidité
• Anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme
• Menez (Pb) sans (le suffixe de « PbF »)
• Conçu et qualifié pour le niveau industriel

ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES IMPORTANTES
SYMBOLE	CARACTÉRISTIQUES	VALEURS	UNITÉS
SI (POIDS DU COMMERCE)	Forme d'onde rectangulaire	10	A
VRRM		150	V
IFSM	tp de = sinus 5 μs	620	A
VF	5 Apk, TJ = °C 125 (par jambe)	0,73	V
TJ	Gamme	- 55 à 175	°C

CAPACITÉS ABSOLUES
PARAMÈTRE	SYMBOLE	CONDITIONS D'ESSAI		VALEURS	UNITÉS
Moyenne maximum par jambe courant en avant par dispositif	SI (POIDS DU COMMERCE)	coefficient d'utilisation de 50 % à comité technique = 155 °C, forme d'onde rectangulaire		5	A
				10
Courant de montée subite non répétitif de cycle maximum de la crête une par jambe	IFSM	sinus de 5 μs ou rect de 3 μs. impulsion	Après toute charge évaluée condition et avec évalué VRRM appliqué	620	A
		sinus de 10 Mme ou rect de 6 Mme. impulsion		115
Énergie non répétitive d'avalanche par jambe	EAS	TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 10 MH		5	MJ
Courant répétitif d'avalanche par jambe	IAR	Courant se délabrant linéairement pour mettre dedans les μs à zéro 1 Fréquence limitée par maximum de TJ VA = 1,5 x VR typiques		1	A

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
PARAMÈTRE	SYMBOLE	CONDITIONS D'ESSAI		VALEURS	UNITÉS
Chute de tension en avant maximum par jambe	VFM⁽¹⁾	5 A	TJ = °C 25	0,93	V
		10 A	TJ = °C 25	1,10
		5 A	TJ = °C 125	0,73
		10 A	TJ = °C 125	0,86
Courant inverse maximum de fuite par jambe	IRM⁽¹⁾	TJ = °C 25	VR = a évalué VR	0,05	mA
Courant inverse maximum de fuite par jambe	IRM⁽¹⁾	TJ = °C 125	VR = a évalué VR	7	mA
Tension de seuil	VF (À)	Maximum de TJ = de TJ		0,468	V
Résistance de pente en avant	droite	Maximum de TJ = de TJ		28	mΩ
Capacité de jonction maximum par jambe	CT	VR = 5 volts continu (gamme de signal d'essai 100 kilohertz à 1 mégahertz) de °C 25		200	PF
Série typique d'inductance par jambe	LS	Mesuré menez pour mener 5 millimètres à partir du corps de paquet		8,0	NH
Taux de tension de changement maximum	dV/dt	VR évalué		10 000	V/μs

PARAMÈTRE		SYMBOLE	CONDITIONS D'ESSAI	VALEURS
Température ambiante maximum de jonction et de température de stockage		TJ, TStg		- 55 à 175
Résistance thermique maximum, jonction au cas par jambe		RthJC	Opération de C.C	3,50
Résistance thermique maximum, jonction au cas par paquet				1,75
Résistance thermique typique, cas au radiateur (seulement pour TO-220)		RthCS	Surface de montage, lisse et graissé	0,50
Poids approximatif				2
Poids approximatif				0,07
Couple de support	minimum			6 (5)
	maximum			12 (10)
Dispositif d'inscription			Style D2PAK de cas	10CTQ150S
			Style TO-262 de cas	10CTQ150-1

Taille :

2 diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF de thermistance de redresseur de X 5A Schottky 0

2 diode 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF de thermistance de redresseur de X 5A Schottky 1

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