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8A 80 - diode de redresseur de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF avec le paquet de D2PAK

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8A 80 - diode de redresseur de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF avec le paquet de D2PAK

Image Grand : 8A 80 - diode de redresseur de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF avec le paquet de D2PAK

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	8TQ80SPBF 8TQ100SPBF

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la bobine, 800pcs/reel
Délai de livraison:	15 - 20 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Nom:	diode Schottky	Numéro de pièce:	8TQ80SPBF 8TQ100SPBF
Si:	8A	tension:	80-100V
Paquet:	D2PAK/TO-262	La température de jonction:	-55-175°C
Surligner:	low leakage schottky diode , 1n5820 schottky diode

8A 80 - diode de redresseur de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF avec le paquet de D2PAK

CARACTÉRISTIQUES

Le 8TQ. La série de redresseur de Schottky a été optimisée pour la basse fuite inverse à température élevée.

La technologie de propriété industrielle de barrière tient compte de l'opération fiable jusqu'à la température de jonction de 175° C.

Les applications typiques sont dans des alimentations d'énergie de commutation, des convertisseurs, des diodes indépendantes, et l'inverse
protection de batterie.
* opération de 175° C TJ
* grande pureté, encapsulation époxyde à hautes températures pour la force mécanique augmentée et

résistance d'humidité
* basse chute de tension en avant
* opération à haute fréquence
* anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme
* sans plomb (suffixe de « PbF »)

ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES IMPORTANTES
SYMBOLE	CARACTÉRISTIQUES	VALEURS	UNITÉS
SI (POIDS DU COMMERCE)	Forme d'onde rectangulaire	8	A
VRRM		80-100	V
IFSM	@ tp de = sinus 5 μs	850	A
VF	@ 8 Apk, TJ = °C 125 (par jambe)	0,58	V
TJ	Gamme	- 55 à 175	°C

CAPACITÉS ABSOLUES
PARAMÈTRE	SYMBOLE	CONDITIONS D'ESSAI		VALEURS	UNITÉS
Moyenne maximum par jambe courant en avant par dispositif	SI (POIDS DU COMMERCE)	coefficient d'utilisation de 50 % à comité technique = 155 °C, forme d'onde rectangulaire		5	A
				10
Courant de montée subite non répétitif de cycle maximum de la crête une par jambe	IFSM	sinus de 5 μs ou rect de 3 μs. impulsion	Après toute charge évaluée condition et avec évalué VRRM appliqué	620	A
		sinus de 10 Mme ou rect de 6 Mme. impulsion		115
Énergie non répétitive d'avalanche par jambe	EAS	TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 10 MH		5	MJ
Courant répétitif d'avalanche par jambe	IAR	Courant se délabrant linéairement pour mettre dedans les μs à zéro 1 Fréquence limitée par maximum de TJ VA = 1,5 x VR typiques		1	A

Estimations de tension

Numéro de la pièce	8TQ080SPbF	8TQ100SPbF
Tension Inverse de VR Max. DC (v)	80	100
Tension inverse de VRWM Max. Working Peak (v)	80	100

Capacités absolues

Paramètres	8TQ	Unités	Conditions
SI (poids du commerce) courant de Max. Average Forward	8	A	coefficient d'utilisation de 50% @ comité technique = 157° C, forme de vague rectangulaire
Courant de montée subite non répétitif de cycle d'IFSM Max. Peak une	850	A	sinus 5μs ou 3μs Rect. impulsion
	230	A	sinus 10ms ou 6ms Rect. impulsion
Énergie non répétitive d'avalanche d'EAS	7,50	MJ	TJ = 25 °C, IAS = 0,50 ampères, L = 60 MH
Courant répétitif d'avalanche d'IAR	0,50	A	Courant se délabrant linéairement pour mettre dedans 1 fréquence à zéro de μsec limitée par maximum de TJ VA = 1,5 x VR typiques

Caractéristiques électriques

Paramètres	8TQ	Unités	Conditions
Chute de tension en avant maximale de FM (1)	0,72	V	@ 8A	TJ = °C 25
	0,88	V	@ 16A	TJ = °C 25
	0,58	V	@ 8A	°C de TJ =1 25
	0,69	V	@ 16A	°C de TJ =1 25
Courant d'IRM Max. Reverse Leakage (1)	0,55	mA	TJ = °C 25	VR = a évalué VR
Courant d'IRM Max. Reverse Leakage (1)	7	mA	°C de TJ =1 25	VR = a évalué VR
Capacité de jonction maximale de CT	500	PF	(Gamme de signal d'essai 100Khz à 1Mhz) 25 °C VR = 5VDC
Inductance typique de série de LS	8	NH	Mesuré menez pour mener 5mm à partir du corps de paquet
taux de dv/dt Max. Voltage du changement (VR évalués)	10000	V/ μs

Caractéristiques Thermique-mécaniques

Paramètres		8TQ	Unités	Conditions
Température ambiante maximale de jonction de TJ		-55 à 175	°C
Température ambiante de température de stockage maximale de Tstg		-55 à 175	°C
Jonction de résistance thermique maximale de RthJC au cas		2,0	°C/W	Opération de C.C
Résistance thermique typique de RthCS, cas au radiateur		0,50	°C/W	Surface de montage, lisse et graissé
poids approximatif de poids		2 (0,07)	g (once.)
Couple de support de T	Minimal.	6 (5)	Kilogramme-cm (Ibf-dans)
Couple de support de T	Maximum.	12 (10)

Dessin :

8A 80 - diode de redresseur de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF avec le paquet de D2PAK 0

8A 80 - diode de redresseur de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF avec le paquet de D2PAK 1

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Personne à contacter: Bixia Wu

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