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Aperçu ProduitsBarrière de Schottky Diode

Basse diode compacte de Schottky de la barrière 20CTQ045PBF avec le paquet TO-220

Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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Basse diode compacte de Schottky de la barrière 20CTQ045PBF avec le paquet TO-220

Compact 20CTQ045PBF Low Barrier Schottky Diode With TO-220 Package
Compact 20CTQ045PBF Low Barrier Schottky Diode With TO-220 Package Compact 20CTQ045PBF Low Barrier Schottky Diode With TO-220 Package Compact 20CTQ045PBF Low Barrier Schottky Diode With TO-220 Package

Image Grand :  Basse diode compacte de Schottky de la barrière 20CTQ045PBF avec le paquet TO-220

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001/RoHS
Numéro de modèle: 20CTQ045PBF

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 5000
Prix: negotiation
Détails d'emballage: le volume dans la barre
Délai de livraison: 15 - 20 jours de travail
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 100000pcs par 1 semaine
Description de produit détaillée
Nom: redresseur de barrière de Schottky Numéro de pièce: 20CTQ045PBF
Si: 20A tension: 45V
Paquet: À 220 La température de jonction: -55-175°C
Surligner:

schottky barrier rectifier

,

1n5820 schottky diode

 

20 diode de redresseur de l'ampère 45V Schottky 20CTQ045PBF avec le paquet TO-220

 

 

CARACTÉRISTIQUES

 

La série de redresseur de Schottky de robinet du centre 20CTQ a été optimisée pour la basse fuite inverse à la haute

la température. La technologie de propriété industrielle de barrière tient compte de l'opération fiable jusqu'à 175°C

la température de jonction. Les applications typiques sont dans des alimentations d'énergie de commutation, convertisseurs,

diodes indépendantes et protection inverse de batterie.
* opération de 175° C TJ
* paquet central du robinet TO-220
* basse chute de tension en avant
* grande pureté, encapsulation époxyde à hautes températures pour la force mécanique augmentée et

résistance d'humidité
* opération à haute fréquence
* anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme

 

ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES IMPORTANTES
SYMBOLE CARACTÉRISTIQUES VALEURS UNITÉS
SI (POIDS DU COMMERCE) Forme d'onde rectangulaire 20 A
VRRM   35 à 45 V
IFSM tp de = sinus 5 μs 1060 A
VF 5 Apk, TJ = °C 125 (par jambe) 0,57 V
TJ Gamme - 55 à 175 °C

 

Estimations de tension

Paramètres

20CTQ035

20CTQ040

16CTQ045

VR Tension Inverse de Max. DC (v) 35 40 45
VRWM Tension inverse de Max. Working Peak (v)

 

Capacités absolues

Paramètres 20CTQ Unités Conditions
SI (POIDS DU COMMERCE) Courant de Max. Average Forward 20 A coefficient d'utilisation de 50% @ comité technique = 145°C, forme de vague rectangulaire
IFSM Courant de montée subite non répétitif de cycle maximum de la crête une par jambe 1060 A sinus 5μs ou 3μs Rect. impulsion

Après évalué

condition de charge et avec

VRRM évalué appliqué

265 sinus 10ms ou 6ms Rect. impulsion
EAS Énergie non répétitive d'avalanche par jambe 13 MJ TJ = 25 °C, IAS = 2,0 ampères, L = 6,5 MH
IAR Courant répétitif d'avalanche 2,0 A

Courant se délabrant linéairement pour mettre dedans 1 μsec à zéro

Fréquence limitée par maximum de TJ VA = 1,5 x VR typiques

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
PARAMÈTRE 20CTQ   VALEURS UNITÉS
Chute de tension en avant maximum par jambe (1) VFM @10A TJ = °C 25 0,64 V
@20A 0,76
@10A TJ = °C 125 0,57
@20A 0,68
Courant inverse maximum de fuite par jambe(1) IRM TJ = °C 25 VR = a évalué VR 2 mA
TJ = °C 125 15
Capacité de jonction maximum par jambe CT VR = 5 volts continu (gamme de signal d'essai 100 kilohertz à 1 mégahertz) de °C 25 900 PF
Série typique d'inductance par jambe LS Mesuré menez pour mener 5 millimètres à partir du corps de paquet 8,0 NH
Taux de tension de changement maximum dV/dt VR évalué 10 000 V/μs

 

PARAMÈTRE SYMBOLE CONDITIONS D'ESSAI 20CTQ045
Température ambiante maximum de jonction et de température de stockage TJ, TStg   - 55 à 175

Résistance thermique maximum,

jonction au cas par jambe

RthJC Opération de C.C 3,25

Résistance thermique maximum,

jonction au cas par paquet

1,63

Résistance thermique typique,

cas au radiateur (seulement pour TO-220)

RthCS Surface de montage, lisse et graissé 0,50
Poids approximatif     2
Poids approximatif     0,07
Couple de support minimum     6 (5)
maximum     12 (10)

 

1A 1000V 1N4007 Dip Rectifier Diode For LED

 

 

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Coordonnées
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Personne à contacter: Bixia Wu

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