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Aperçu ProduitsBarrière de Schottky Diode

30 paquet de la diode de barrière de Schottky de bâti de surface d'ampère 30CTQ050 30CTQ060 TO-220

Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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30 paquet de la diode de barrière de Schottky de bâti de surface d'ampère 30CTQ050 30CTQ060 TO-220

30 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode 30CTQ050 30CTQ060 TO-220 Package
30 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode 30CTQ050 30CTQ060 TO-220 Package 30 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode 30CTQ050 30CTQ060 TO-220 Package 30 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode 30CTQ050 30CTQ060 TO-220 Package

Image Grand :  30 paquet de la diode de barrière de Schottky de bâti de surface d'ampère 30CTQ050 30CTQ060 TO-220

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001/RoHS
Numéro de modèle: 30CTQ060

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 5000
Prix: negotiation
Détails d'emballage: le volume dans la barre
Délai de livraison: 15 - 20 jours de travail
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 100000pcs par 1 semaine
Description de produit détaillée
Numéro de pièce: 30CTQ060 Si: 30 A
tension: 60V La température de jonction: - 55 à 150
VF à SI: 0,56 V IFSM: 1000A
Surligner:

schottky barrier rectifier

,

low leakage schottky diode

 

30 paquet de la diode de redresseur d'ampère Schottky 30CTQ050 30CTQ060 TO-220

 

 

CARACTÉRISTIQUES

Ce robinet central Schottky rrectifier a été optimisé pour la chute de tension en avant très basse,

avec la fuite modérée. La technologie de propriété industrielle de barrière tient compte de l'opération fiable
jusqu'à la température de jonction de 150° C. Les applications typiques sont dans des alimentations d'énergie de commutation,

convertisseurs, diodes indépendantes, et protection inverse de batterie.
* opération de 150° C TJ
* configuration centrale de robinet
* chute de tension en avant très basse
* grande pureté, encapsulation époxyde à hautes températures pour la force mécanique augmentée et

résistance d'humidité
* opération à haute fréquence
* anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme

 

ESTIMATIONS DE TENSION
PARAMÈTRE SYMBOLE 30CTQ050 30CTQ050
Tension inverse de C.C de maximum (V) VR 50 60
Tension inverse maximale fonctionnante maximum (V) VRWM

 

CAPACITÉS ABSOLUES
PARAMÈTRE SYMBOLE Condition d'essai VALEURS UNITÉS
Courant en avant moyen maximum Par jambe SI (POIDS DU COMMERCE) coefficient d'utilisation de 50 % à TL = 105 °C, forme d'onde rectangulaire 15 A
Par dispositif 30

Cycle maximum de la crête une

courant de montée subite non répétitif (par jambe)

IFSM sinus de 5 μs ou rect de 3 μs. impulsion

Après évalué

condition de charge et avec

VRRM évalué appliqué

1000
sinus de 10 Mme ou rect de 6 Mme. impulsion 250
Énergie non répétitive d'avalanche EAS TJ = 25 °C, IAS = 1,5 A, L = MH 11,5 13 MJ
Courant répétitif d'avalanche IAR

Courant se délabrant linéairement pour mettre dedans les μs à zéro 1

Fréquence limitée par maximum de TJ VA = 1,5 x VR typiques

1,5 A

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
PARAMÈTRE SYMBOLE Condition d'essai VALEURS UNITÉS
Chute de tension en avant maximum (par jambe) VFM (1) @15A TJ = °C 25 0,62 V
@30A 0,82
@15A TJ = °C 125 0,56
@30A 0,71
Courant inverse maximum de fuite (par jambe) IRM TJ = °C 25 VR = a évalué VR 0,8 mA
TJ = °C 125 45
Tension de seuil VF (À) Maximum de TJ = de TJ. 0,39 V
Résistance de pente en avant droite 0,47
Capacité de jonction maximum (par jambe) CT VR = 5 volts continu (gamme de signal d'essai 100 kilohertz à 1 mégahertz), °C 25 720 PF
Série typique d'inductance (par jambe) LS Mesuré menez pour mener 5 millimètres à partir du corps de paquet 8,0 NH
Taux de tension de changement maximum dV/dt VR évalué 10 000 V/μs

Note
(1) durée d'impulsion < 300="">

 

Dessin :

30 paquet de la diode de barrière de Schottky de bâti de surface d'ampère 30CTQ050 30CTQ060 TO-220 0

1A 1000V 1N4007 Dip Rectifier Diode For LED

 

 

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Coordonnées
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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