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Diode directionnelle LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 de déclencheur de DIAC de Bi scellée par verre

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Diode directionnelle LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 de déclencheur de DIAC de Bi scellée par verre

Image Grand : Diode directionnelle LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 de déclencheur de DIAC de Bi scellée par verre

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001
Numéro de modèle:	LLDB3 LLDB4 LLDB6

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la bobine, 2500pcs/reel, 100000pcs/ctn
Délai de livraison:	3-5 jour de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de la pièce:	LLDB3 LLDB4 LLDB6	VBO:	56-70V
IR:	10uA	Paquet:	SOD-80
Température ambiante d'opération:	-40°c - +125°c	Température ambiante de température de stockage:	-40°c - +125°c
Surligner:	db3 diac diode , db3 diac trigger diode

Diode bidirectionnelle Verre-scellée LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 de déclencheur

Caractéristiques

VBO : 60V
Gamme de tension de suite : 56 à 70V

Applications

Fonctionnant comme diode de déclencheur avec une référence de tension fixe, le DB3 peut être employé dans la conjonction

avec des triacs pour les circuits de commande simplifiés de porte ou comme élément commençant en ballasts de lampe fluorescente.

Capacités absolues

Courant maximal répétitif de sur-état (tp=20μs F=120 hertz)	ITRM	2	A
Température ambiante fonctionnante de jonction	Tj	-40 \| +125	℃
Température ambiante de température de stockage	Tstg	-40 \| +125	℃

Caractéristiques électriques

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai		Valeur	Unité
Voltage* de suite	VBO	C=22nF **	MINIMAL.	28	V
			TYPE.	32
			MAXIMUM.	36
Symétrie de tension de suite	\|VBO1-VBO2\|	C=22nF **	MAXIMUM.	±3	V
Voltage* dynamique de suite	△V	VBO et VF à 10mA	MINIMAL.	5	V
Voltage* de sortie	Vo	voir le diagramme 2 (R=20Ω)	MINIMAL.	5	V
Current* de suite	IBOS	C=22nF **	MAXIMUM.	50	μA
Time* de hausse	TR	voir le diagramme 3	MAXIMUM.	2	μs
Current* de fuite	IR	VR=0.5VBO maximum	MAXIMUM.	10	μA

Diode directionnelle LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 de déclencheur de DIAC de Bi scellée par verre 0

Nos avantages :

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Produit Tag:

Personne à contacter: Patty Huang

Téléphone: +8618761557550