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Aperçu ProduitsDiode de redresseur d'usage universel

diode de redresseur d'usage universel du silicium 1.5A 1N5391G par la puce de 1N5399G GPP

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diode de redresseur d'usage universel du silicium 1.5A 1N5391G par la puce de 1N5399G GPP

1.5A Silicon General Purpose Rectifier Diode 1N5391G Thru 1N5399G GPP Chip
1.5A Silicon General Purpose Rectifier Diode 1N5391G Thru 1N5399G GPP Chip 1.5A Silicon General Purpose Rectifier Diode 1N5391G Thru 1N5399G GPP Chip 1.5A Silicon General Purpose Rectifier Diode 1N5391G Thru 1N5399G GPP Chip

Image Grand :  diode de redresseur d'usage universel du silicium 1.5A 1N5391G par la puce de 1N5399G GPP

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: 1N5391G-1N5399G

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 3000pcs
Prix: negotiation
Détails d'emballage: bande dans la boîte, 3000pcs/box
Délai de livraison: 5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 100000pcs par 1 semaine
Description de produit détaillée
Numéro de la pièce: 1N5399G actuel: 1.5A
Tension: 1000V Paquet: DO-15
Statut sans plomb: Sans plomb/RoHS Expédition par: DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer
Surligner:

fast recovery rectifier diode

,

smd rectifier diode

diode de redresseur d'usage universel du silicium 1.5A 1N5391G par la puce de 1N5399G GPP

 

CARACTÉRISTIQUES

 

* basse fuite inverse

* capacité de crête en avant élevée

* fiabilité élevée

* soudure de haute température garantie : 260℃/10s ; longueur d'avance : 0,375" (9.5mm)

* avance et corps s'accordant avec la norme de RoHS

 

DONNÉES MÉCANIQUES

 

* cas : Plastique moulé par DO-15

* époxyde : Taux de l'UL 94V-0 ignifuge

* avance : Étampé pur, sans plomb

 

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Otherwies d'uniess de température ambiante de l'estimation 25℃ spécifiques.

Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.

Pour la charge capacitive, sous-sollicitez le courant de 20%.

DACTYLOGRAPHIEZ LE NOMBRE 1N5391G 1N5392G 1N5393G 1N5395G 1N5397G 1N5398G 1N5399G UNITÉS
Tension inverse maximale récurrente maximum 50 100 200 400 600 800 1000 V
Tension maximum de RMS 35 70 140 280 420 560 700 V
Tension de blocage de C.C de maximum 50 100 200 400 600 800 1000 V

Courant en avant rectifié moyen maximum

.375" longueur d'avance (de 9.5mm) à Ta=75℃

1,5 A

Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi

superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)

50 A
Tension en avant instantanée maximum à 1.0A 1,1 V

Courant inverse Ta=25℃ de C.C de maximum

à la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100℃

5,0

100

μA

μA

Capacité de jonction typique (note 1) 20 PF
Résistance thermique typique RqJA (note 2) 50 ℃/W
Chaîne de température de fonctionnement, TJ, TSTG -55--150

 

Taille :

diode de redresseur d'usage universel du silicium 1.5A 1N5391G par la puce de 1N5399G GPP 0

 

Que peut vous de XUYANG ?

 

Le meilleur service : avec 10 ans d'expérience d'exporter le personnel de vente vous entretiendra.

De haute qualité : aidez-vous à éviter d'acheter le risque.

Court-circuitez la livraison : aidez-vous à épargner le temps.

Prix concurrentiel : le prix n'est pas la plus basse mais la plus élevée représentation de coût

OEM/ODM : nous sommes sûrs nous pouvons vous rencontrer des conditions d'OEM/ODm.

Coordonnées
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Personne à contacter: Bixia Wu

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