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Pont redresseur de diode de silicium monophasé 2W005 par 2W10 avec 50 - 1000V

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Pont redresseur de diode de silicium monophasé 2W005 par 2W10 avec 50 - 1000V

Image Grand : Pont redresseur de diode de silicium monophasé 2W005 par 2W10 avec 50 - 1000V

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	2W005-2W10

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	le volume dans la barre
Délai de livraison:	7 - 10 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	10000pcs par semaine

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de la pièce:	2W005-2W10	actuel:	2A
Tension:	50-1000V	SI:	1.1V
SPQ:	1000pcs	Température de fonctionnement:	-55°C à +150°C
Surligner:	bridge type rectifier , single phase bridge rectifier

pont redresseur de silicium monophasé 2.0A 2W005 par 2W10 avec 50 - 1000V

CARACTÉRISTIQUES

* la matière plastique a la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
* idéal pour le support de carte électronique
* capacité élevée de courant de montée subite
* soudure de haute température garantie 265 secondes C/10 à 5 livres (2.3kg) de tension

DONNÉES MÉCANIQUES

* cas : Construction fiable de coût bas utilisant la technique en plastique moulée

* terminaux : Avances plaquées solderable par MIL-STD-202, méthode 208

* position de montage : Quels

Estimations maximum et caractéristiques thermiques

(MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	2W005	2W01	2W02	2W04	2W06	2W08	2W10	Unité
Tension inverse maximale répétitive maximum	VRRM	50	100	200	400	600	800	1000	V
Tension maximum de RMS	VRMS	35	70	140	280	420	560	700	V
Tension de blocage de C.C de maximum	Volts continu	50	100	200	400	600	800	1000	V
Moyen maximum en avant rectifié courant de sortie à TA=25 C	SI (POIDS DU COMMERCE)	2,0							A
Sinus-vague simple maximale de courant de montée subite en avant superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)	IFSM	60							A
Évaluation pour fondre (t < 8="">	I2t	15							A2sec
Résistance thermique typique par élément (1)	RθJA	50,0							°C/W
Capacité de jonction typique par élément (2)	Cj	30							PF
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage	TJ, TSTG	– 55 à +150							°C
Chute de tension en avant instantanée maximum par jambe à 1.5A	VF	1,1							V
Courant inverse de C.C de maximum aux VENTRES évalués =25 C Tension de blocage de C.C par élément MERCI =100 C	IR	10 1000							μA