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Diode de barrière de Schottky de paquet de SOD123FL DSS14 DSS16 DSS110 avec 1 ampère

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Diode de barrière de Schottky de paquet de SOD123FL DSS14 DSS16 DSS110 avec 1 ampère

Image Grand : Diode de barrière de Schottky de paquet de SOD123FL DSS14 DSS16 DSS110 avec 1 ampère

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	DSS14 DSS16 DSS110

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	3000
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Nom:	Diode de Schottky	Numéro de la pièce:	DSS110
actuel:	1A	Tension:	100V
Paquet:	SOD123FL	SPQ:	3000pcs
Statut sans plomb:	Sans plomb/RoHS	Expédition par:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer
Surligner:	schottky barrier rectifier , 1n5820 schottky diode

Diode de barrière de Schottky de paquet de SOD123FL DSS14 DSS16 DSS110 avec 1 ampère

CARACTÉRISTIQUES

* basse fuite inverse

* capacité de crête en avant élevée

* fiabilité élevée

* soudure de haute température garantie : 260℃/10seconds

* avance et corps s'accordant avec la norme de RoHS

DONNÉES MÉCANIQUES

* cas : Plastique moulé par SOD123FL

* époxyde : Taux de l'UL 94V-0 ignifuge

* avance : Étampé pur, sans plomb

ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES MAXIMUM

Estimations à la température ambiante 25℃ sauf indication contraire.

Paramètre		Symbole	DSS14	DSS16	DSS110	UNITÉ
Tension inverse maximale répétitive maximum		VRRM	40	60	100	V
Tension maximum de RMS		VRMS	28	42	70	V
Tension de blocage de C.C de maximum		Volts continu	40	60	100	V
Courant en avant rectifié moyen maximum		SI (POIDS DU COMMERCE)	1,0			A
Courant de montée subite en avant maximal non répétitif sinus-vague de singlehalf de 8,3 Mme		IFSM	30			A
@IF=1.0A Tension en avant maximum		VF	0,50	0,70	0,85	V
@VDC Courant inverse maximum	TA= 25℃	IR	500	100	50	μA
@VDC Courant inverse maximum	TA= 125℃	IR	10		5	mA
Résistance thermique typique (note 1)		RθJA	160			℃/W
VR=4.0V, f=1MHz Dactylographiez la capacité de jonction		Cj	110	80		PF
La température de jonction de fonctionnement a sonné		Tj	-55 - +150	-55 - +150		℃
la température de stockage a sonné		TSTG	-55 - +150			℃

Taille :

Diode de barrière de Schottky de paquet de SOD123FL DSS14 DSS16 DSS110 avec 1 ampère 0

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Produit Tag:

diode de 1n5820 Schottky,

redresseur de barrière de Schottky,

basse diode de Schottky de fuite

Coordonnées

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Personne à contacter: Bixia Wu

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Paquet: SOD-80