Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Numéro de pièce: | SD103A | VR: | 40V |
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Paquet: | DO-35 | SPQ: | 5000pcs |
Courant en avant: | 1000mA | Couleur de bande de cathode: | Black |
Surligner: | schottky diode smd,1n914 blocking diode |
Petite diode de Schottky de signal de SD103A SD103B SD103C avec le paquet DO-35
Caractéristiques
1. La série SD103 est un dispositif de barrière de Schottky de métal-sur-silicium qui est protégé par un PN
jonction guardring.
2. La basse chute de tension en avant et la commutation rapide lui font l'idéal pour la protection des dispositifs de MOS,
les diodes orientant, blasing et coupler pour la commutation rapide et la basse logique nivellent des applications.
3. D'autres applicatuibs sont la suppression de clic, ponts double alternance effcient dans des sous-ensembles de téléphone, et
blocage des diodes dans les installations de batterie rechargeables de basse tension.
4. Pour des applications d'usage universel.
5. fiabilité élevée
Applications
1. À haute fréquence-détecteur
2. Circuit de protection
3. Petit chargeur de batterie
4. AC/DC, convertisseurs de DC/DC
Construction
Planaire épitaxial de silicium
Capacités absolues
Tj=25℃
Paramètre | Conditions d'essai | Type | Symbole | Valeur | Unité |
Tension inverse maximale répétitive | SD103A | VRRM | 40 | V | |
SD103B | VRRM | 30 | V | ||
SD103C | VRRM | 20 | V | ||
Courant de montée subite en avant maximal | Tp≤1s | IFRM | 1 | A | |
Courant en avant | IFM | 350 | mA | ||
Dissipation de puissance | Tamb=25℃ | PV | 400 | mW | |
Température ambiante de température de stockage | Tstg | -65~+175 | ℃ |
Caractéristiques électriques
Tj=25℃
Paramètre | Conditions d'essai | Type | Symbole | Minute | Type | Maximum | Unité |
Tension en avant | IF=20mA | VF | 0,37 | V | |||
IF=200mA | VF | 0,6 | V | ||||
Courant inverse | VR=30V | SD103A | IR | 1 | 5 | μA | |
VR=20V | SD103B | IR | 5 | μA | |||
VR=10V | SD103C | IR | 5 | μA | |||
Capacité de diode | VR=VF =0, f=1MHz | CD | 50 | PF | |||
Temps de rétablissement inverse | IF=IR=200mA à 0.1mA | trr | 10 | NS |
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Personne à contacter: Bixia Wu