diode de commutation à grande vitesse de 0.15A 75V 4.0nS 1N4148 avec le cas DO-35 en verre

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Name: diode de commutation à grande vitesse de 0.15A 75V 4.0nS 1N4148 avec le cas DO-35 en verre
Brand: XUYANG
SKU: 1N4148

Quantité de commande min:	5000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Nom:	Diode de commutation	Numéro de pièce:	1N4148
VR:	75V	Paquet:	DO-35
Statut sans plomb:	Sans plomb/RoHS	Expédition par:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer
Surligner:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

diode de commutation à grande vitesse de paquet de 0.15A 75V 4.0nS DO-35 1N4148

Caractéristiques

• Diode planaire épitaxiale de silicium

• Diode de commutation rapide.

• Cette diode est également disponible dans d'autres styles de cas comprenant le cas SOD-123 avec le type

désignation 1N4148W, le cas de MiniMELF avec le type désignation LL4148, le SOT-23

cas avec le type désignation IMBD4148.

Données mécaniques

Cas : Cas DO-35 en verre

Poids : approximativement 0.13g

Dessin :

Estimations maximum et caractéristiques thermiques (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Limite	Unité
Tension inverse	VR	75	V
Tension inverse maximale	VRM	100	V
La moyenne a rectifié le courant Rectification à demi onde avec la charge résistive à Tamb = à 25°C	SI (POIDS DU COMMERCE)	150	mA
Courant en avant de montée subite à t < 1s="" and="" Tj="25°C	IFSM	500	mA
Dissipation de puissance à Tamb = à 25°C	Ptot	500	mW
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant	RθJA	350	°C/W
La température de jonction	Tj	175	°C
Température de stockage	SOLIDES TOTAUX	– 65 à +175	°C

Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Condition d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension claque inverse	V (BR) R	IR = 100μA	100			V
Tension en avant	VF	SI = 10mA	—	—	1,0	V
Courant de fuite	IR	VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C	—	—	25 5 50	Na μA μA
Capacité	Ctot	VF = VR = 0V	—	—	4	PF
Hausse de tension en branchant (examiné avec impulsions 50mA)	Vfr	tp = 0.1μs, temps de montée < 30ns=""> point de gel = 5 à 100kHz	—	—	2,5	NS
Temps de rétablissement inverse	trr	SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω	—	—	4	NS
Efficacité de rectification	nanovolt	f = 100MHz, VRF = 2V	0,45	—	—	—