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Diode Zener extérieure BZV55C2V4-BZV55C75 de silicium de bâti avec la fiabilité élevée

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Diode Zener extérieure BZV55C2V4-BZV55C75 de silicium de bâti avec la fiabilité élevée

Image Grand : Diode Zener extérieure BZV55C2V4-BZV55C75 de silicium de bâti avec la fiabilité élevée

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	BZV55C2V4 - BZV55C75

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	2500pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la bobine, 2500pcs/reel
Délai de livraison:	5-7 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	500000pcs par momth

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de pièce:	BZV55C2V4 - BZV55C75	tension:	2.4-75V
Puissance:	500mW	Paquet:	SOD-80/LL-34
Température de fonctionnement:	-65°C \| 200°C	Expédition par:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer
Surligner:	surface mount diode , dioda zener smd

De bâti de silicium 0,5 volts extérieurs de tolérance BZV55C2V4 du ± 5% du watt de la diode Zener 2,4 à 75 par BZV55C75

DESCRIPTION :
Le BZV55C2V4 à la diode Zener de silicium de bâti de surface de série de BZV55C75V est un de haute qualité,

puits construit, composant fortement fiable conçu pour l'usage dans tous les types de commercial, industriels,

divertissement, ordinateur, et applications des véhicules à moteur.

Capacités absolues

Tj=25℃

Paramètre	Conditions d'essai	Symbole	Valeur	Unité
Courant en avant moyen		I_O	200	mA
Courant en avant répétitif maximal		I_FRM	250	mA
Dissipation de puissance	_Amb ≤75℃ de T	P_D	500	mW
Température ambiante d'opération et de température de stockage La température de jonction		T_J, T_STG	-65~+200	℃

Caractéristiques électriques

(TA=25°C), VF=0.9V max @ IF=10mA POUR TOUS LES TYPES.

Type Non.	Chaîne de tension de Zener VZ @ I_ZT			Examinez le courant	Zener maximum Impédance			Inverse de maximum Actuel		Maximum Courant de Zener
	Chaîne de tension de Zener VZ @ I_ZT			I_ZT	Z_ZT @ I_ZT			I_R @ V_R		I_LAZM
	Nom (v)	Minute (v)	(v) maximum	mA	Ω	Ω	mA	μA	Volts	mA
BZV55C2V4	2,4	2,280	2,520	5,0	100	600	1,0	50	1,0	208
BZV55C2V7	2,7	2,565	2,835	5,0	100	600	1,0	20	1,0	185
BZV55C3V0	3,0	2,850	3,150	5,0	95	600	1,0	10	1,0	167
BZV55C3V3	3,3	3,135	3,465	5,0	95	600	1,0	5,0	1,0	152
BZV55C3V6	3,6	3,420	3,780	5,0	90	600	1,0	5,0	1,0	139
BZV55C3V9	3,9	3,705	4,095	5,0	90	600	1,0	3,0	1,0	128
BZV55C4V3	4,3	4,085	4,515	5,0	90	600	1,0	3,0	1,0	116
BZV55C4V7	4,7	4,465	4,935	5,0	80	500	1,0	3,0	2,0	106
BZV55C5V1	5,1	4,845	5,355	5,0	60	480	1,0	2,0	2,0	96
BZV55C5V6	5,6	5,320	5,880	5,0	40	400	1,0	1,0	2,0	89
BZV55C6V2	6,2	5,890	6,510	5,0	10	150	1,0	3,0	4,0	81
BZV55C6V8	6,8	6,460	7,140	5,0	15	80	1,0	2,0	4,0	74
BZV55C7V5	7,5	7,125	7,875	5,0	15	80	1,0	1,0	5,0	67
BZV55C8V2	8,2	7,790	8,610	5,0	15	80	1,0	0,7	5,0	61
BZV55C9V1	9,1	8,645	9,555	5,0	15	100	1,0	0,5	6,0	55
BZV55C10	10	9,500	10,50	5,0	20	150	1,0	0,1	7,0	50
BZV55C11	11	10,45	11,55	5,0	20	150	1,0	0,1	8,0	45
BZV55C12	12	11,40	12,60	5,0	25	150	1,0	0,1	8,0	42
BZV55C13	13	12,35	13,65	5,0	30	170	1,0	0,1	8,0	38
BZV55C15	15	14,25	15,75	5,0	30	200	1,0	0,05	10,5	33
BZV55C16	16	15,20	16,80	5,0	40	200	1,0	0,05	11,2	31
BZV55C18	18	17,10	18,90	5,0	45	225	1,0	0,05	12,6	28
BZV55C20	20	19,00	21,00	5,0	55	225	1,0	0,05	14,0	25
BZV55C22	22	20,90	23,10	5,0	55	250	1,0	0,05	15,4	23
BZV55C24	24	22,80	25,20	5,0	70	250	1,0	0,05	16,8	21
BZV55C27	27	25,65	28,35	2,0	80	300	0,5	0,05	18,9	19
BZV55C30	30	28,50	31,50	2,0	80	300	0,5	0,05	21,0	17
BZV55C33	33	31,35	34,65	2,0	80	325	0,5	0,05	23,1	15
BZV55C36	36	34,20	37,80	2,0	90	350	0,5	0,05	25,2	14
BZV55C39	39	37,05	40,95	2,0	130	350	0,5	0,05	27,3	13
BZV55C43	43	40,85	45,15	2,0	150	375	0,5	0,05	30,1	12
BZV55C47	47	44,65	49,35	2,0	170	375	0,5	0,05	32,9	11
BZV55C51	51	48,45	53,55	2,0	180	400	0,5	0,05	35,7	9,9
BZV55C56	56	53,20	58,80	2,0	200	425	0,5	0,05	39,2	8,9
BZV55C62	62	58,90	65,10	2,0	215	450	0,5	0,05	43,4	8,0
BZV55C68	68	64,60	71,40	2,0	240	475	0,5	0,05	47,6	7,4
BZV55C75	75	71,25	78,75	2,0	255	500	0,5	0,05	52,5	6,7

Taille

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Personne à contacter: Bixia Wu

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