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le verre ultra-rapide de diode de redresseur de la récupération 1Amp a passivé 50-1000V RGP10A-M DO-41

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le verre ultra-rapide de diode de redresseur de la récupération 1Amp a passivé 50-1000V RGP10A-M DO-41

Image Grand : le verre ultra-rapide de diode de redresseur de la récupération 1Amp a passivé 50-1000V RGP10A-M DO-41

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001
Numéro de modèle:	RGP10A-M

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	3500000PCS/Month

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de pièce:	RGP10A-M	Actuel:	1A
tension:	50-1000V	Paquet:	DO-41
SPQ:	5000pcs	ROHS:	Oui
Surligner:	ultrafast bridge rectifier , fast recovery bridge rectifier

le verre rapide superbe de redresseur de silicium de la récupération 1Amp a passivé 50-1000V RGP10A-M DO-41

CARACTÉRISTIQUES

Jonctions de puce passivées par verre de ●
Idéal de ● pour le placement automatisé
Temps de rétablissement inverse ultra-rapide de ●
pour le rendement élevé
Paquet de profil bas de ●
Capacité de crête en avant élevée de ●
Soudure de haute température de ● :
secondes 260℃/10 sur des terminaux
Composant de ● dans l'accord à
RoHS 2002/95/1 et WEEE 2002/96/EC

Date mécanique

Symbole	Paramètre	Valeur							Unités
Symbole	Paramètre	10A	10B	10D	10G	10J	10K	10m	Unités
V RRM	Tension inverse répétitive maximum	50	100	200	400	600	800	1000	V
I F (POIDS DU COMMERCE)	La moyenne a rectifié le courant en avant, .375" longueur @ T d'avance L = 55°C	1,0							A
I FSM	Courant de montée subite en avant maximal non répétitif 8,3 Mme Moitié-Sinus-vague simple	30							A
Stg de T	Température ambiante de température de stockage	-65 à +175							°C
T J	La température de jonction fonctionnante	-65 à +175							°C

* ces estimations sont des valeurs limites au-dessus dont l'utilité de n'importe quel dispositif de semi-conducteur peut être altérée

Caractéristiques thermiques

Symboy	Paramete	Valeur	Unités
P D	Dissipation de puissance	3,0	W
R de θJA	Résistance thermique, jonction à ambiant	50	°C/W

Caractéristiques électriques T A = 25°C sauf indication contraire

Symbole	Paramètre	Valeur							Unités
		10A	10B	10D	10G	10J	10K	10m
VF	Tension en avant @ 1,0 A	1,3							V
t rr	Temps de rétablissement inverse I F = 0,5 A, I R = 1,0 A, I rr = 0,25 A	150				250	500		A
I R	Le courant inverse @ a évalué V R T A = 25°C T A = 150°C	5,0 200							uA uA
C T	Capacité totale V R = 4,0 V, f = 1,0 mégahertz	15							PF

Taille

le verre ultra-rapide de diode de redresseur de la récupération 1Amp a passivé 50-1000V RGP10A-M DO-41 0

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