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Aperçu Produitsdiode de commutation à grande vitesse

Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35

Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35

General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case
General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case

Image Grand :  Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001/RoHS
Numéro de modèle: 1N4448

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 5000pcs
Prix: negotiation
Détails d'emballage: bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison: 5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 100000pcs par 1 semaine
Description de produit détaillée
Nom: Diode de commutation Numéro de pièce: 1N4448
VR: 75V Affaire: DO-35
La température de jonction: 175°C La température de stockage: – 65 à +175°C
Surligner:

ultra fast switching diode

,

small signal switching diode

diode simple à grande vitesse de diode de commutation 1N4448 petite avec le cas DO-35

 

 

Caractéristiques

 

• Diode planaire épitaxiale de silicium

• Diode de commutation rapide.

• Cette diode est également disponible dans d'autres styles de cas comprenant le cas SOD-123 avec le type

désignation 1N4448W, le cas de MiniMELF avec le type désignation LL4148, le SOT-23

cas avec le type désignation IMBD4148.

.

Données mécaniques

Cas : Cas DO-35 en verre

Poids : approximativement 0.13g

 

Estimations maximum et caractéristiques thermiques (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension inverse VR 75 V
Tension inverse maximale VRM 100 V

La moyenne a rectifié le courant

Rectification à demi onde avec la charge résistive à Tamb = à 25°C

SI (POIDS DU COMMERCE) 150 mA
Courant en avant de montée subite à t < 1s="" and="" Tj="25°C IFSM 500 mA
Dissipation de puissance à Tamb = à 25°C Ptot 500 mW
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant RθJA 350 °C/W
La température de jonction Tj 175 °C
Température de stockage SOLIDES TOTAUX – 65 à +175 °C

 

Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Condition d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension en avant VF

SI = 5mA

SI = 100mA

0,62

0,70

1,0

V
Courant de fuite IR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V, TJ = 150°C

25

5

50

Na

μA

μA

Tension claque inverse V (BR) R IR = 100ìA (pulsés) 100 V
Capacité Ctot VF = VR = 0V 4 PF
Temps de rétablissement inverse trr

SI = 10mA, IR = 1mA,

VR = 6V, RL = 100Ù

4 NS
Efficacité de rectification nanovolt f = 100MHz, VRF = 2V 0,45

 

Dessin :

Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35 0

part1 diode.png

 

notre service :

La condition courante met à jour toujours, accueil pour nous contacter pour plus de détails.

Nous promettons de citer seulement des produits avec le vrai état de 100%, jamais nous vendons refourbi ou copions en tant qu'original.

Notre objet est de faire la coopération à long terme.

Choisissez-nous, vous nous trouvera professionnels, toujours dignes de confiance et faciles de faire des affaires.

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Coordonnées
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Personne à contacter: Bixia Wu

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