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Diode de commutation à grande vitesse de cas en verre 1N914 avec la conductibilité élevée

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Diode de commutation à grande vitesse de cas en verre 1N914 avec la conductibilité élevée

Image Grand : Diode de commutation à grande vitesse de cas en verre 1N914 avec la conductibilité élevée

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	1N914

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Nom:	diode de commutation rapide	Numéro de pièce:	1N914
VR:	75V	Tension inverse maximale ::	100V
Chute de tension en avant:	1V	La température de stockage:	– 65 à +175°C
Surligner:	small signal fast switching diodes , ultra fast switching diode

La diode de commutation à grande vitesse 1N914 avec le cas DO-35 jeûnent diode de commutation

Caractéristiques

Vitesse de commutation rapide

Fiabilité élevée

Conductibilité élevée

Pour l'application d'usage universel de commutation

Données mécaniques

Cas : Cas DO-35 en verre

Therminals : solderable par MIL-STD-202, méthode 208 garantie

Repérage : Dactylographiez le nombre

Poids : approximativement 0.13g

Estimations maximum et caractéristiques thermiques (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Estimations maximum (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

characterisic	Symbole	Limite	Unité
Tension inverse maximale non répétitive	VRM	100	V
Tension inverse répétitive maximale Tension inverse maximale fonctionnante Tension de blocage de C.C	VRRM VRWM VR	75	V
Tension inverse de RMS	VR (RMS)	53	V
Courant continu de Forwar (Note 1)	IFM	150	mA
La moyenne a rectifié le courant de sortie (Note 1)	E/S	75	mA
Courant de montée subite en avant maximal non répétitif @ t = 1s @ t = 1us	IFSM	1,0 1,0	A
Dissipation de puissance (note 1) Sous-sollicitez au-dessus de 25°C	Palladium	500	mW mW/°C
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant (note 1)	RthJA	300	K/W
Température ambiante de jonction et de température de stockage	Tj, TSTG	– 65 à +175	°C

Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Condition d'essai	Minute	Maximum	Unité
Tension en avant maximum	VFM	SI = 10mA	—	1,0	V
Courant inverse maximal maximum	IRM	VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C VR = 20V	—	5,0 50 25	μA μA Na
Capacité	Cj	VR = 0V, f =1.0 mégahertz	—	4	PF
Temps de rétablissement inverse	trr	SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω	—	4	NS

Note : 1. Valide à condition que meniez est maintenu à la température ambiante à une distance de 8.0mm.

part1 diode.png

notre service :

La condition courante met à jour toujours, accueil pour nous contacter pour plus de détails.

Nous promettons de citer seulement des produits avec le vrai état de 100%, jamais nous vendons refourbi ou copions en tant qu'original.

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Personne à contacter: Bixia Wu

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