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Diode de commutation à grande vitesse de VR 250V 1SS83 avec planaire épitaxial de silicium

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Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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Diode de commutation à grande vitesse de VR 250V 1SS83 avec planaire épitaxial de silicium

VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar
VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar

Image Grand :  Diode de commutation à grande vitesse de VR 250V 1SS83 avec planaire épitaxial de silicium

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001/RoHS
Numéro de modèle: 1SS83

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 5000pcs
Prix: negotiation
Détails d'emballage: bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison: 5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 100000pcs par 1 semaine
Contact
Description de produit détaillée
Nom: diode de commutation à haute tension Numéro de pièce: 1SS83
VR: 250V Affaire: DO-35
La température de jonction: 175°C La température de stockage: – 65 à +175°C
Surligner:

small signal fast switching diodes

,

small signal switching diode

Planaire épitaxial de silicium pour la diode de commutation à haute tension 1SS83

 

 

Caractéristiques

 

• Tension inverse élevée (VR = 250V)

• Fiabilité élevée avec le joint en verre

.

Données mécaniques

Cas : Cas DO-35 en verre

Poids : approximativement 0.13g

 

Capacités absolues

Paramètre Symbole Limite Unité
Tension inverse VR 250 V
Inverse maximal Voltage*1 VRM 300 V
La moyenne a rectifié le courant E/S 200 mA
Courant en avant maximal IFM 625 mA
Courant de montée subite en avant maximal non répétitif IFSM *2 1 A
Dissipation de puissance Palladium 400 mW
La température de jonction Tj 175 °C
Température de stockage SOLIDES TOTAUX – 65 à +175 °C

 

Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Condition d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension en avant VF SI = 100mA — — 1,0 V
Courant inverse IR1 VR = 200V — — 200 Na
IR2 VR = 300V — — 100 μA
Capacité C VR = 0V, f =1.0 mégahertz — 1,5 — PF
Temps de rétablissement inverse trr

SI = IR = 30mA,

IRR = 3 mA, RL = 100Ω

 — — 100 NS

 

Dessin :

Diode de commutation à grande vitesse de VR 250V 1SS83 avec planaire épitaxial de silicium 0

part1 diode.png

 

notre service :

La condition courante met à jour toujours, accueil pour nous contacter pour plus de détails.

Nous promettons de citer seulement des produits avec le vrai état de 100%, jamais nous vendons refourbi ou copions en tant qu'original.

Notre objet est de faire la coopération à long terme.

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Produit Tag:

diode de commutation ultra-rapide,

petite diode de commutation de signal,

diodes de commutation rapides de petit signal

Coordonnées
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