Aperçu Produits petite diode de Schottky de signal

Petite diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103 de Schottky de signal de SOD-80 MninMelf

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Petite diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103 de Schottky de signal de SOD-80 MninMelf

Image Grand : Petite diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103 de Schottky de signal de SOD-80 MninMelf

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	BAV100 BAV101 BA102 BAV103

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	2500pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la bobine, 2500pcs/reel
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de la pièce:	BAV103	VR:	200V
Paquet:	SOD-80C	Courant en avant maximal répétitif:	625mA
Courant en avant:	250mA	La température de jonction:	175℃
Surligner:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

Petite diode de signal de SOD-80 MninMelf BAV100 BAV101 BA102 BAV103

Caractéristiques
Fiabilité élevée

Applications :

Pour l'usage universel

Capacités absolues
Tj=25℃

Paramètre	Conditions d'essai	Type	Symbole	Valeur	Unité
Tension inverse maximale répétitive		BAV100	VRRM	60	V
		BAV101	VRRM	120	V
		BAV102	VRRM	100	V
		BAV103	VRRM	250	V
Tension inverse		BAV100	VR	50	V
		BAV101	VR	100	V
		BAV102	VR	150	V
		BAV103	VR	200	V
Courant de montée subite en avant maximal	t<1s>		IFSM	1	A
Courant en avant maximal répétitif			IFRM	625	mA
Courant en avant de C.C	Tamb=25℃		SI	250	mA
Courant rectifié (moyenne)			IFAV	200	mA
Dissipation de puissance	Tamb=25℃		Ptot	500	mW
La température de jonction			Tj	175	℃
Température ambiante de température de stockage			Tstg	-65~+175	℃

Résistance thermique maximum

Tj=25℃

Paramètre	Conditions d'essai	Symbole	Valeur	Unité
Jonction ambiante	sur la carte de circuit imprimé 50mmX50mmX1.6mm	RthJA	500	K/W

Caractéristiques électriques
Tj=25℃

Paramètre	Conditions d'essai	Type	Symbole	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension en avant	IF=100mA		VF			1,00	V
	VR=50V	BAV100	IR			100	Na
	VR=50 Tj=100℃	BAV100	IR			15	μA
Courant inverse	VR=100V	BAV101	IR		1	100	Na
	VR=100 Tj=100℃	BAV101	IR			15	μA
	VR=150V	BAV102	IR			100	Na
	VR=150 Tj=100℃	BAV102	IR			15	μA
	VR=200V	BAV103	IR			100	Na
	VR=200 Tj=100℃	BAV103	IR			15	μA
Résistance en avant dynamique	IF=10mA		rf			5	Ω
Capacité de diode	VR=0, f=1MHz		CD		1,5		PF
Temps de rétablissement inverse	IF= IR=30mA, Irr=3mA, RL=100Ω		trr			50	NS

Petite diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103 de Schottky de signal de SOD-80 MninMelf 0

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