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Basse petite diode 1N60P de Schottky de signal de VF avec le paquet en verre DO-35

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Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications

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Basse petite diode 1N60P de Schottky de signal de VF avec le paquet en verre DO-35

Image Grand : Basse petite diode 1N60P de Schottky de signal de VF avec le paquet en verre DO-35

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001
Numéro de modèle:	1N60P

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de pièce:	1N60P	VR:	45V
Paquet:	DO-35	SPQ:	5000pcs
Statut sans plomb:	Sans plomb/RoHS	Expédition par:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer
Surligner:	schottky diode smd , 1n914 blocking diode

Petite diode de Schottky de signal du paquet DO-35 basse VF en verre 1N60 1N60P pour la détection

Caractéristiques

1. Fiabilité élevée

2. Basse tension en avant actuelle et basse inverse

Applications

Commutation à faible intensité de rectification et de grande vitesse

Construction

Planaire épitaxial de silicium

Capacités absolues

Tj=25℃

Paramètre	Conditions d'essai	Type	Symbole	Valeur	Unité
Tension inverse maximale répétitive		1N60	VRRM	40	V
Tension inverse maximale répétitive		1N60P	VRRM	45	V
Courant de montée subite en avant maximal	tp≦1 s	1N60	IFSM	150	mA
Courant de montée subite en avant maximal	tp≦1 s	1N60P	IFSM	500	mA
Courant continu en avant	Ta=25℃	1N60	SI	30	mA
Courant continu en avant	Ta=25℃	1N60P	SI	50	mA
Température ambiante de température de stockage			Tstg	-65~+125	℃

Résistance thermique maximum

Paramètre	Conditions d'essai	Symbole	Valeur	Unité
Jonction ambiante	sur la carte de circuit imprimé 50mm×50mm×1.6mm	RthJA	250	K/W

Caractéristiques électriques

Paramètre	Conditions d'essai	Type	Symbole	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension en avant	IF=1mA	1N60	VF		0,32	0,5	V
	IF=1mA	1N60P	VF		0,24	0,5	V
	IF=30mA	1N60	VF		0,65	1,0	V
	IF=200mA	1N60P	VF		0,65	1,0	V
Courant inverse	VR=15V	1N60	IR		1	5	μA
Courant inverse	VR=15V	1N60P	IR		5	10	μA
Capacité de jonction	VR=1V, f=1MHz	1N60	CJ			2,0	PF
Capacité de jonction	VR=10V, f=1MHz	1N60P	CJ			6,0	PF
Temps de rétablissement inverse	IF=IR=1mA Irr=1mA RC=100 ?		trr			1,0	NS

Basse petite diode 1N60P de Schottky de signal de VF avec le paquet en verre DO-35 0

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Produit Tag:

diode de commutation 1n914,

1n914 bloquant la diode,

smd de diode de Schottky

Coordonnées

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Personne à contacter: Bixia Wu

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