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diode bidirectionnelle DB3 du déclencheur 28-36V avec la basse approbation inverse de la fuite ROHS

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diode bidirectionnelle DB3 du déclencheur 28-36V avec la basse approbation inverse de la fuite ROHS

Image Grand : diode bidirectionnelle DB3 du déclencheur 28-36V avec la basse approbation inverse de la fuite ROHS

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001
Numéro de modèle:	DB3

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de pièce:	DB3	VBO:	28-36V
Paquet:	DO-41	La température de jonction:	-40~+110°C
d'emballage:	bande dans la boîte	Expédition par:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer
Surligner:	db3 diac diode , db3 diac trigger diode

Diode bidirectionnelle DB3 de déclencheur de DIAC de ROHS avec DO-41 par le paquet de trou

Caractéristiques

1. Basse fuite inverse

2. Capacité de crête en avant élevée

3. Soudure à hautes températures garantie : 250℃/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm)

Données mécaniques

· Terminaux : Terminaux axiaux plaqués
· Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
· Position de montage : Quels

Capacités absolues

Symboles	Paramètre		Valeur	Unité
Symboles	Paramètre		DB3	Unité
PC	Dissipation de puissance sur imprimé Circuit [L=10mm]	TA=50℃	150	mW
ITRM	Sur-état maximal répétitif Actuel	tp=10us F=100Hz	2,0	A
TSTG/TJ	Stockage et les 0 températures de jonction perating		-40 à +125/-40 110	℃

Caractéristiques électriques

Paramètre	Symbole	Conditions d'essai		Valeur	Unité
Tension de suite	VBO		MINIMAL.	28	V
			TYPE.	32
			MAXIMUM.	36
Symétrie de tension de suite	\|VBO1-VBO2\|	C=22nF **	MAXIMUM.	±3	V
Voltage* dynamique de suite	△V	VBO et VF à 10mA	MINIMAL.	5	V
Voltage* de sortie	V_O	voir le diagramme 2 (R=20Ω)	MINIMAL.	5	V
Current* de suite	IBOS	C=22nF **	MAXIMUM.	100	μA
Time* de hausse	TR		MAXIMUM.	1,5	μs
Current* de fuite	IR	VR=0.5VBO maximum	MAXIMUM.	10	μA

Notes : caractéristiques 1.Electrical applicables dans en avant et directions inverses.
2.Connected parallèlement aux dispositifs.

diode bidirectionnelle DB3 du déclencheur 28-36V avec la basse approbation inverse de la fuite ROHS 0

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Personne à contacter: Bixia Wu

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