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Aperçu ProduitsBarrière de Schottky Diode

Diode de barrière de Schottky de bâti de surface de 1 ampère SS12-SS110 avec le rendement élevé

Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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Diode de barrière de Schottky de bâti de surface de 1 ampère SS12-SS110 avec le rendement élevé

1 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode SS12-SS110 With High Efficiency
1 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode SS12-SS110 With High Efficiency 1 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode SS12-SS110 With High Efficiency 1 Amp Surface Mount Schottky Barrier Diode SS12-SS110 With High Efficiency

Image Grand :  Diode de barrière de Schottky de bâti de surface de 1 ampère SS12-SS110 avec le rendement élevé

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: SS12-SS110

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 5000pcs
Prix: negotiation
Détails d'emballage: 5000pcs/box
Conditions de paiement: T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 500000pcs/mois
Description de produit détaillée
Nom du produit: SS12-SS110 Actuel: 1.0A
tension: 20-110V SPQ: 50000pcs/box
Paquet: SMA
Surligner:

schottky barrier rectifier

,

1n5820 schottky diode

Redresseur SS12-SS110 20-110V de barrière de Schottky de bâti de surface de 1,0 ampères

 

 

CARACTÉRISTIQUES :

 

le paquet en plastique de *The porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
* pour des applications montées par surface
* jonction de silicium en métal, conduction de transporteur de majorité
* perte de puissance faible, rendement élevé
* passe-fils intégré, idéal pour les placemen automatisés

* soudure de haute température garantie : 250 secondes C/10 sur des terminaux

 

DONNÉES MÉCANIQUES

 

Cas : Corps en plastique moulé par DO-214AC de JEDEC
Terminaux : mène solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,003 onces, 0,093 grammes

 

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%

 

DACTYLOGRAPHIEZ LE NOMBRE SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS110 UNITÉS
Tension inverse maximale récurrente maximum 20 30 40 50 60 80 100 V
Tension maximum de RMS 14 21 28 35 42 56 70 V
Tension de blocage de C.C de maximum 20 30 40 50 60 80 100 V
Courant en avant rectifié moyen maximum à T L (voir le fig.1) 1,0 A

Faites une pointe le courant de montée subite en avant, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi

superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)

30,0 A
Tension en avant instantanée maximum à 1.0A 0,45 0,55 0,70 0,85 V
Courant inverse Ta=25 C de C.C de maximum 0,5 mA
à la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100 C 6,0 5,0 mA
Capacité de jonction typique (Note1) 110 90 PF
Résistance thermique typique Rq JA (note 2) 88,0 C/W
Chaîne T J de température de fonctionnement -65 +125 -65 +150 C
Température ambiante de température de stockage T STG -65 +150 C

 

Dessin :

 

Diode de barrière de Schottky de bâti de surface de 1 ampère SS12-SS110 avec le rendement élevé 0

 

 

 

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