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Diode de barrière de 10MQ100N SMD Schottky pour la protection inverse de batterie

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Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications

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Diode de barrière de 10MQ100N SMD Schottky pour la protection inverse de batterie

Image Grand : Diode de barrière de 10MQ100N SMD Schottky pour la protection inverse de batterie

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	10MQ100N

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la bobine, 3000pcs/reel
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Nom:	diode de Schottky de smd	Numéro de pièce:	10MQ100N
Actuel:	2.1A	tension:	100V
Paquet:	SMA/DO-214AC	SPQ:	5000pcs
Statut sans plomb:	Sans plomb/RoHS	Expédition par:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mer
Surligner:	low leakage schottky diode , 1n5820 schottky diode

Diode de barrière de 10MQ100N SMD Schottky avec le cas de 100V 2.1A DO214AC

Avec les capacités fortes de R&D, l'équipement de production avancé et les dispositifs parfaits de mesure.

Nous fournissons les produits et services qualifiés selon le système de la gestion de la qualité ISO9001.

Tous les produits ont passé l'essai dangereux de substance, les normes répondues de l'UE et les Etats-Unis.

Caractéristiques

Le redresseur de Schottky de bâti de la surface 10MQ100N a été conçu pour des applications exigeant le bas

la baisse en avant et le pied très petit imprime sur des panneaux de PC. Les applications typiques sont dans des unités de disques,

alimentations d'énergie de commutation, convertisseurs, diodes indépendantes, chargement de batterie, et batterie inverse

protection.

1. Petite copie de pied, surface montable
2. basse chute de tension en avant
3. opération de haute fréquence
4. anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme

Estimations et caractéristiques importantes

Caractéristiques	10MQ100N	Unités
I C.C DE F	2,1	A
VRRM	100	V
IFSM @ tp de = sinus 5 μs	120	A
VF @ 1.5Apk, TJ=125°C	0,68	V
Gamme de TJ	- 55 à 150	°C

Estimations de tension

Numéro de la pièce	10MQ100N
Tension Inverse de VR Max. DC (v)	100
Tension inverse de VRWM Max. Working Peak (v)	100

Capacités absolues

Taille :

Diode de barrière de 10MQ100N SMD Schottky pour la protection inverse de batterie 0

Paiement
1. Nous acceptons Paypal, Western Union, T.T à l'avance et ainsi de suite.
2. Si vous préférez d'autres manières de salaire, les pls nous contactent.

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2. Il sera embarqué par DHL/FedEx /TNT/ UPS /EMS ou toute autre manière spéciale. Entrez en contact svp avec nous et

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Produit Tag:

Personne à contacter: Bixia Wu