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Aperçu ProduitsBarrière de Schottky Diode

Diode de barrière montable extérieure de Schottky 30BQ100 avec le paquet de SMC

Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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Diode de barrière montable extérieure de Schottky 30BQ100 avec le paquet de SMC

Surface Mountable Schottky Barrier Diode 30BQ100 With SMC Package
Surface Mountable Schottky Barrier Diode 30BQ100 With SMC Package Surface Mountable Schottky Barrier Diode 30BQ100 With SMC Package Surface Mountable Schottky Barrier Diode 30BQ100 With SMC Package

Image Grand :  Diode de barrière montable extérieure de Schottky 30BQ100 avec le paquet de SMC

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: XUYANG
Certification: ISO9001/RoHS
Numéro de modèle: 30BQ100

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 3000pcs
Prix: negotiation
Détails d'emballage: 3000pcs/box
Délai de livraison: 7 - 10 jours de travail
Conditions de paiement: T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 500000pcs/mois
Description de produit détaillée
Nom du produit: 30BQ100 Actuel: 3.0A
tension: 100V SPQ: 30000PCS
Paquet: SMC/DO-214AB La température fonctionnante a sonné: -55 +175℃
Surligner:

low leakage schottky diode

,

1n5820 schottky diode

diode de barrière de Schottky de bâti de la surface 3A 30BQ100 avec le paquet de SMC

 

 

DESCRIPTION
Le redresseur de Schottky de bâti de la surface 30BQ100-M3 a été conçu pour des applications

l'exigence de la basse baisse en avant et du petit pied imprime sur des panneaux de PC. Les applications typiques sont

dans des unités de disques, alimentations d'énergie de changement, convertisseurs, diodes indépendantes, chargement de batterie,

et protection inverse de batterie.

 

CARACTÉRISTIQUES :

 

• Basse chute de tension en avant
• Anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme
• sans halogène selon la définition du CEI 61249-2-21
• Petite copie de pied, surface montable
• Opération à haute fréquence
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, crête maximum de LF du °C 260
• Conforme à la directive 2015/863/EU de RoHS

 

RÉSUMÉ DE PRODUIT

Paquet SMC
SI (POIDS DU COMMERCE) 3,0 A
VR 100 V
VF à SI 0,62 V
IRM 5 mA au °C 125
Maximum de TJ. °C 175
Variation de diode Choisissez meurent
EAS 3,0 MJ

 

ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES IMPORTANTES

 

SYMBOLE CARACTÉRISTIQUES VALEURS UNITÉS
SI (POIDS DU COMMERCE) Forme d'onde rectangulaire 3,0 A
VRRM   100 V
IFSM tp de = sinus 5 μs 800 A
VF 3,0 Apk, TJ = °C 125 0,62 V
TJ Gamme - 55 à 175 °C

 

ESTIMATIONS DE TENSION

 

Paramètre Symbole VS-30BQ100-M3 UNITÉS
Tension inverse de C.C de maximum VR 100 V
Tension inverse maximale fonctionnante maximum VRWM

 

Dessin :

 

Diode de barrière montable extérieure de Schottky 30BQ100 avec le paquet de SMC 0

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Coordonnées
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