Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Nom du produit: | 30BQ100 | Actuel: | 3.0A |
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tension: | 100V | SPQ: | 30000PCS |
Paquet: | SMC/DO-214AB | La température fonctionnante a sonné: | -55 +175℃ |
Surligner: | low leakage schottky diode,1n5820 schottky diode |
diode de barrière de Schottky de bâti de la surface 3A 30BQ100 avec le paquet de SMC
DESCRIPTION
Le redresseur de Schottky de bâti de la surface 30BQ100-M3 a été conçu pour des applications
l'exigence de la basse baisse en avant et du petit pied imprime sur des panneaux de PC. Les applications typiques sont
dans des unités de disques, alimentations d'énergie de changement, convertisseurs, diodes indépendantes, chargement de batterie,
et protection inverse de batterie.
CARACTÉRISTIQUES :
• Basse chute de tension en avant
• Anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme
• sans halogène selon la définition du CEI 61249-2-21
• Petite copie de pied, surface montable
• Opération à haute fréquence
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, crête maximum de LF du °C 260
• Conforme à la directive 2015/863/EU de RoHS
RÉSUMÉ DE PRODUIT
Paquet | SMC |
SI (POIDS DU COMMERCE) | 3,0 A |
VR | 100 V |
VF à SI | 0,62 V |
IRM | 5 mA au °C 125 |
Maximum de TJ. | °C 175 |
Variation de diode | Choisissez meurent |
EAS | 3,0 MJ |
ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES IMPORTANTES
SYMBOLE | CARACTÉRISTIQUES | VALEURS | UNITÉS |
SI (POIDS DU COMMERCE) | Forme d'onde rectangulaire | 3,0 | A |
VRRM | 100 | V | |
IFSM | tp de = sinus 5 μs | 800 | A |
VF | 3,0 Apk, TJ = °C 125 | 0,62 | V |
TJ | Gamme | - 55 à 175 | °C |
ESTIMATIONS DE TENSION
Paramètre | Symbole | VS-30BQ100-M3 | UNITÉS |
Tension inverse de C.C de maximum | VR | 100 | V |
Tension inverse maximale fonctionnante maximum | VRWM |
Dessin :
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Personne à contacter: Bixia Wu