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La température de jonction rapide des diodes de commutation de petit signal de composants actifs 125℃

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Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications

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La température de jonction rapide des diodes de commutation de petit signal de composants actifs 125℃

Image Grand : La température de jonction rapide des diodes de commutation de petit signal de composants actifs 125℃

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	BAT85

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	5000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la boîte, 5000pcs/box
Délai de livraison:	5 - 8 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Numéro de pièce:	BAT85	VR:	30V
Paquet:	DO-35	Courant en avant maximal répétitif:	300mA
Courant en avant:	200mA	La température de jonction:	125℃
Surligner:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

Petit paquet de la diode BAT85 Wigh DO-35 de Schottky de signal de composants actifs

Caractéristiques

· Pour des applications d'usage universel
· Ces diodes comporte la tension d'ouverture très basse et la commutation rapide.
· Ces dispositifs sont protégés par un anneau de garde de jonction de PN contre la tension excessive, comme

décharges électrostatiques.
· La diode est également disponible dans le mini cas de MELF avec le type la désignation BAS85

· Soudure à hautes températures garantie : secondes 260℃/10 sur des terminaux
· Composant dans l'accord à RoHS 2015/863/EU

Applications :

Applications où une tension en avant très basse est exigée

RATINGES ABSOLU ET CARACTÈRE ÉLECTRIQUE

Tj=25℃

PARAMÈTRE	SYMBOLES	VALEUR	MINUTE	TYPE	Max	UNITÉ
Tension inverse maximale répétitive	VR	30				Volts
Courant continu en avant à TA=25°C	SI	2001)				mA
Courant en avant maximal répétitif à TP<1s>	IFM	3001)				mA
Courant en avant de montée subite au TP<10ms>	IFSM	6001)				mA
Dissipation de puissance à TA=65°C	Ptot	2001)				mW
La température de jonction	TJ	125				°C
Gamme de température de fonctionnement ambiante	MERCI	-65 à +125				°C
Température ambiante de température de stockage	TSTG	-65 à +150				°C
Tension claque inverse examinée avec les impulsions 100µA	V (BR) R		30			Volts
Tension en avant Essai TP d'impulsion à IF=0.1mA, à IF=1mA, à IF=10mA, à IF=30mA, à IF=100mA,	VF			0,50	0,24 0,32 0,4 0,8	Volts
Fuite VR=25V actuel	IR				2	µA
Capacité de jonction à VR=1V, f=1MHz	CJ				10	PF
Forme inverse IF=10mA, IR=1mA de temps de rétablissement	TRR				5	NS
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant	RJA				3002)	K/W

NOTES :

1) Valide à condition que mène à une distance de 4mm de cas sont maintenus à la température ambiante

2) Valide à condition que mène à une distance de 4mm de cas sont maintenus à la température ambiante (DO-35)

La température de jonction rapide des diodes de commutation de petit signal de composants actifs 125℃ 0

La température de jonction rapide des diodes de commutation de petit signal de composants actifs 125℃ 1

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Manière d'expédition :

Expédition internationale expédiée (FEDEX, DHL, UPS, TNT) elle a normalement coûté 4-6 jours

Produit Tag:

Personne à contacter: Bixia Wu

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