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3,0 diode de redresseur de Schottky de bâti de surface de l'ampère 40V 30BQ040 DO-214AB

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3,0 diode de redresseur de Schottky de bâti de surface de l'ampère 40V 30BQ040 DO-214AB

Image Grand : 3,0 diode de redresseur de Schottky de bâti de surface de l'ampère 40V 30BQ040 DO-214AB

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	XUYANG
Certification:	ISO9001/RoHS
Numéro de modèle:	30BQ040

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	3000pcs
Prix:	negotiation
Détails d'emballage:	bande dans la bobine, 3000pcs/reel
Délai de livraison:	15 - 20 jours de travail
Conditions de paiement:	T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:	100000pcs par 1 semaine

Contact

Description de produit détaillée

Nom:	diode de redresseur de Schottky	Numéro de pièce:	30BQ040
Si:	3A	tension:	40V
Paquet:	SMC/DO-214AB	La température de jonction:	-55-150°C
VF à SI:	0,46 V	IRM:	30 mA au °C 125
Variation de diode:	Choisissez meurent	EAS:	6,0 MJ
Surligner:	schottky barrier rectifier , 1n5820 schottky diode

3,0 diode de redresseur de Schottky de bâti de surface de l'ampère 40V 30BQ040 DO-214AB

CARACTÉRISTIQUES

• Très bas chute de tension en avant
• Anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme
• sans halogène selon la définition du CEI 61249-2-21
• Petite copie de pied, surface montable
• Opération à haute fréquence
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, crête maximum de LF du °C 260
• Conforme à la directive 2015/863/EC de RoHS

DESCRIPTION
Le redresseur de Schottky de bâti de la surface 30BQ040 a été conçu pour des applications exigeant le bas

la baisse en avant et le petit pied imprime sur des panneaux de PC. Les applications typiques sont dans des unités de disques, commutant

alimentations d'énergie, convertisseurs, diodes indépendantes, chargement de batterie, et protection inverse de batterie.

ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES IMPORTANTES
SYMBOLE	CARACTÉRISTIQUES	VALEURS	UNITÉS
SI (POIDS DU COMMERCE)	Forme d'onde rectangulaire	3,0	A
VRRM		40	V
IFSM	tp de = sinus 5 μs	2000	A
VF	3,0 Apk, TJ = °C 125	0,43	V
TJ	Gamme	- 55 à 150	°C

ESTIMATIONS DE TENSION
PARAMÈTRE	SYMBOLE	30BQ040-M3	UNITÉS
Tension inverse de C.C de maximum	VR	40	V
Tension inverse maximale fonctionnante maximum	VRWM	40	V

CAPACITÉS ABSOLUES
PARAMÈTRE	SYMBOLE	Condition d'essai		VALEURS	UNITÉS
Courant en avant moyen maximum	SI (POIDS DU COMMERCE)	coefficient d'utilisation de 50 % à TL = 115 °C, forme d'onde rectangulaire		3,0	A
		coefficient d'utilisation de 50 % à TL = 104 °C, forme d'onde rectangulaire		4,0
Cycle maximum de la crête une courant de montée subite non répétitif	IFSM	sinus de 5 μs ou rect de 3 μs. impulsion	Après évalué condition de charge et avec VRRM évalué appliqué	1600
		sinus de 10 Mme ou rect de 6 Mme. impulsion		90
Énergie non répétitive d'avalanche	EAS	TJ = 25 °C, IAS = 1,0 A, L = 12 MH		6.	MJ
Courant répétitif d'avalanche	IAR	Courant se délabrant linéairement pour mettre dedans les μs à zéro 1 Fréquence limitée par maximum de TJ VA = 1,5 x VR typiques		1,0	A

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
PARAMÈTRE	SYMBOLE	Condition d'essai		VALEURS	UNITÉS
Chute de tension en avant maximum	VFM (1)	3A	TJ = °C 25	0,57	V
		6A	TJ = °C 25	0,76
		3A	TJ = °C 125	0,46
		6A	TJ = °C 125	0,64
Courant inverse maximum de fuite	IRM	TJ = °C 25	VR = a évalué VR	0,5
		TJ = °C 125	VR = a évalué VR	30	mA
Capacité de jonction maximum	CT	VR = 5 volts continu (gamme de signal d'essai 100 kilohertz à 1 mégahertz), °C 25		230	PF
Série typique d'inductance	LS	Mesuré menez pour mener 5 millimètres à partir du corps de paquet		3,0	NH
Taux de tension de changement maximum	dV/dt	VR évalué		10 000	V/μs

Note
(1) durée d'impulsion = 300 μs, coefficient d'utilisation = 2 %

THERMIQUE - CARACTÉRISTIQUES MÉCANIQUES
PARAMÈTRE	SYMBOLE	Condition d'essai	VALEURS	UNITÉS
Jonction et stockage maximum température ambiante	TJ (1), TStg		- 55 à 150	°C
Résistance thermique maximum, jonction à l'avance	RthJL (2)	Opération de C.C	12	°C/W
Résistance thermique maximum, jonction à ambiant	RthJA	Opération de C.C	46	°C/W

Dessin :

3,0 diode de redresseur de Schottky de bâti de surface de l'ampère 40V 30BQ040 DO-214AB 0

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Personne à contacter: Bixia Wu

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