Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Nom: | Diode de SMD Schottky | Numéro de la pièce: | MBR0530LT1 |
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SI (POIDS DU COMMERCE): | 0.5A | VR: | 30v |
Paquet: | SOD-123 | SPQ: | 3000pcs |
Température ambiante fonctionnante: | -65~+150℃ | VF à 0,5 A au °C 25: | 0.43V |
0,5 ampères 30 volts de Schottky de barrière de diode de redresseur MBR0530LT1
DESCRIPTION
Cette diode de Schottky approprié idéalement à la basse tension, opérations à haute fréquence, As
protection de laisser aller et de polarité. La petite taille du paquet permet l'utilisation appropriée dedans
application où la dimension compacte est critique, montage également la condition de GSM et de PCMCIA.
Caractéristiques :
• Montable extérieur
• Très bas chute de tension en avant
• Commutation extrêmement rapide
• Pertes négligeables de commutation
• Anneau de garde pour la rugosité augmentée et la fiabilité à long terme
• Conçu et qualifié pour le niveau industriel
ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES IMPORTANTES | |||
SYMBOLE | CARACTÉRISTIQUES | VALEURS | UNITÉS |
SI (POIDS DU COMMERCE) | C.C | 0,5 | A |
VRRM | 30 | V | |
IFSM | tp de = sinus 10 Mme | 10 | A |
VF | 0,5 Apk, TJ = °C 100 | 0,35 | V |
TJ | Gamme | - 65 à 150 | °C |
ESTIMATIONS DE TENSION | |||
PARAMÈTRE | SYMBOLE | MBR0530 | UNITÉS |
Tension inverse de C.C de maximum | VR | 30 | V |
Tension inverse maximale fonctionnante maximum | VRWM |
PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | VALEURS | UNITÉS | |
Courant en avant | SI | C.C, TL = °C 126 | 0,5 | A | |
Cycle maximum A de la crête une courant de montée subite non répétitif à TJ = °C 25 |
IFSM | sinus de 5 μs ou rect de 3 μs. impulsion |
Après évalué condition de charge et avec VRRM évalué appliqué |
75 | |
sinus de 10 Mme ou rect de 6 Mme. impulsion | 10 |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES | |||||
PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | VALEURS | UNITÉS | |
Chute de tension en avant maximum | VFM (1) | 0.1A | TJ = °C 25 | 0,375 | V |
0.5A | 0,430 | ||||
0.1A | TJ = °C 125 | 0,250 | |||
0.5A | 0,350 | ||||
Courant inverse maximum de fuite | IRM (1) | VR = 15 V | TJ = °C 25 | 20 | μA |
VR = 30 V | 130 | ||||
Capacité de jonction maximum | CT | VR = 5 volts continu (gamme de signal d'essai 100 kilohertz à 1 mégahertz) TJ = °C 25 | 90 | PF | |
Taux de tension de changement maximum | dV/dt | VR évalué | 10000 | V/μs |
Taille :
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