Diode bidirectionnelle de déclencheur du DIAC DB3 de silicium avec la capacité de crête en avant élevée

Diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de silicium DB3 SMA avec le paquet extérieur de bâti

Caractéristiques

1. Basse fuite inverse

2. Capacité de crête en avant élevée

3. Soudure à hautes températures garantie : 250℃/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm)

Données mécaniques

·Terminaux : Terminaux axiaux plaqués
·Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
·Position de montage : Quels

Capacités absolues

Caractéristiques électriques

Notes : caractéristiques 1.Electrical applicables dans en avant et directions inverses.
           2.Connected parallèlement aux dispositifs.

Taille :

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