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Diode Zener

Chine Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certifications
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Diode Zener

(31)
Chine Diode Zener extérieure BZV55C2V4-BZV55C75 de silicium de bâti avec la fiabilité élevée usine

Diode Zener extérieure BZV55C2V4-BZV55C75 de silicium de bâti avec la fiabilité élevée
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De bâti de silicium 0,5 volts extérieurs de tolérance BZV55C2V4 du ± 5% du watt de la diode Zener 2,4 à 75 par BZV55C75 DESCRIPTION : Le BZV55C2V4 à la diode Zener de silicium de bâti de surface de série de ... Lire la suite
2020-05-07 10:53:09
Chine 0.5W 2.4-75V Dioda Zener Smd LL55C2V4-LL55C75 avec la PA SOD-80/LL-34 usine

0.5W 2.4-75V Dioda Zener Smd LL55C2V4-LL55C75 avec la PA SOD-80/LL-34
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diode Zener LL55C2V4 de 0.5W 2.04V-75V par LL55C75 avec le paquet SOD-80/LL-34 Caractéristiques 1. Petit type de support extérieur 2. fiabilité élevée Applications Stabilisation de tension Capacités absolues Tj... Lire la suite
2020-05-07 10:53:09
Chine DO-41 diode Zener en verre BZX2C3V6 du paquet 2W 3.6V-75V par BZX2C75 usine

DO-41 diode Zener en verre BZX2C3V6 du paquet 2W 3.6V-75V par BZX2C75
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DO-41 diode Zener en verre BZX2C3V6 du paquet 2W 3.6V-75V par BZX2C75 Caractéristiques 1. Fiabilité élevée 2. grand choix de tension disponible 3. paquet en verre 4. soudure à hautes températures : 250℃ pendant ... Lire la suite
2020-05-07 10:53:08
Chine diode Zener DL5221B de bâti de la surface 500mW par DL5267B avec le paquet SOD-80/LL-34 usine

diode Zener DL5221B de bâti de la surface 500mW par DL5267B avec le paquet SOD-80/LL-34
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diode Zener DL5221B de bâti de la surface 500mW par DL5267B avec le paquet SOD-80/LL-34 Caractéristiques 1. Fiabilité élevée 2. caractéristique d'inversion très pointue 3. niveau actuel inverse bas 4. VZ... Lire la suite
2020-05-07 10:53:07
Chine DO-41 BZX85C2V7 par le verre de la diode Zener BZX85C75 usine

DO-41 BZX85C2V7 par le verre de la diode Zener BZX85C75
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DO-41 diode Zener en verre BZX85C2V7 du paquet 1.3W 2.7V-75V par BZX85C75 Caractéristiques 1. Fiabilité élevée 2. caractéristique d'inversion très pointue 3. niveau actuel inverse bas 4. VZ-tolerance±5% ... Lire la suite
2020-06-10 18:01:52
Chine Diode Zener extérieure Bzx55c du bâti 0.5W BZX55C2V4-BZX55C75 usine

Diode Zener extérieure Bzx55c du bâti 0.5W BZX55C2V4-BZX55C75
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Diode Zener BZX55C2V4 du paquet 0.5W des composants actifs DO-35 par BZX55C75 Caractéristiques Fiabilité élevée Applications Stabilisation de tension Construction Planaire épitaxial de silicium Capacités ... Lire la suite
2020-06-10 17:59:11
Chine choix de tension de la diode 4.6-47V de régulateur de tension 1.5W grand disponible usine

choix de tension de la diode 4.6-47V de régulateur de tension 1.5W grand disponible
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diode Zener BZX1.5C4V3 - IMMERSION de 1.5W 4.3V-47V de BZX1.5C47V DO-41 Caractéristiques 1. Fiabilité élevée 2. grand choix de tension disponible 3. paquet en verre 4. soudure à hautes températures : 250℃ ... Lire la suite
2020-05-07 10:53:05
Chine niveau actuel inverse bas de la diode Zener 1N4728A-1N4761A de 1W 3.3V-75V usine

niveau actuel inverse bas de la diode Zener 1N4728A-1N4761A de 1W 3.3V-75V
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DO-41 diode Zener en verre 1N4728A du paquet 1W 3.3V-75V par 1N4761A Caractéristiques 1. Fiabilité élevée 2. caractéristique d'inversion très pointue 3. niveau actuel inverse bas 4. VZ-tolerance±5% Applications ... Lire la suite
2020-05-07 10:53:05
Chine diode Zener 1N5333B-1N5388B de silicium de l'IMMERSION 5W à l'utilisation Unstabilizing et aux circuits de coupure usine

diode Zener 1N5333B-1N5388B de silicium de l'IMMERSION 5W à l'utilisation Unstabilizing et aux circuits de coupure
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diode Zener 1N5333B de silicium de l'IMMERSION 5W par 1N5388B avec le paquet de 17-02/DO-201AE Applications Pour des circuits instabilizing et de coupure d'utilisation avec la puissance nominale élevée. CARACT... Lire la suite
2020-05-07 10:53:04
Chine diode Zener de silicium de l'IMMERSION 1.5W avec la tension de 3,3 à 240V 1N5913B par 1N5957B usine

diode Zener de silicium de l'IMMERSION 1.5W avec la tension de 3,3 à 240V 1N5913B par 1N5957B
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diode Zener de silicium de l'IMMERSION 1.5W avec la tension de 3,3 à 240V 1N5913B par 1N5957B Applications Pour des circuits instabilizing et de coupure d'utilisation avec la puissance nominale élevée. CARACT... Lire la suite
2020-05-07 10:53:04
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